[發明專利]發光二極管有效
| 申請號: | 201610623516.0 | 申請日: | 2016-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN107689409B | 公開(公告)日: | 2019-09-20 |
| 發明(設計)人: | 彭建忠;黃建翔;沈佳輝;洪梓健 | 申請(專利權)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;榮創能源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/46 | 分類號: | H01L33/46;H01L33/44;H01L33/36 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飛亞 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 | ||
1.一種發光二極管,包括發光二極管芯片、圍設于所述發光二極管芯片周圍的第一反射層、依次覆蓋于所述發光二極管芯片之上的第一透光層、第二透光層,所述發光二極管芯片具有一主出光面及位于所述主出光面相對一側的第一電極和第二電極,其特征在于:還包括位于所述第一反射層和第一透光層之間且圍設于所述發光二極管芯片周緣的第二反射層,所述第二反射層的反射率小于所述第一反射層的反射率,所述第一電極和第二電極的底面外露于所述第一反射層的底面。
2.如權利要求1所述發光二極管,其特征在于:所述第二反射層具有一第一表面及與所述第一表面相對的一第二表面,所述第一表面與所述第一反射層無縫貼合,所述第二表面與所述發光二極管的主出光面共面。
3.如權利要求1所述發光二極管,其特征在于:所述第二反射層的反射率小于40%,所述第二反射層的厚度大于100nm。
4.如權利要求1所述發光二極管,其特征在于:所述第一反射層的厚度與所述第二反射層的厚度之和等于所述發光二極管芯片的高度。
5.如權利要求1所述發光二極管,其特征在于:所述第一反射層的底部與所述第一電極、第二電極的底面共面設置。
6.如權利要求1所述發光二極管,其特征在于:所述第一透光層由透光性、導熱性能良好的材料組成。
7.如權利要求1所述發光二極管,其特征在于:所述第一透光層與所述發光二極管芯片的主出光面、所述第二反射層的第二表面之間無縫貼合。
8.如權利要求1所述發光二極管,其特征在于:所述第二透光層由封裝膠體組成,所述第二透光層的厚度大于所述第一透光層的厚度。
9.如權利要求1所述發光二極管,其特征在于:所述第二透光層中包含有熒光粉。
10.如權利要求1所述發光二極管,其特征在于:所述發光二極管進一步具有一中心軸線,所述發光二極管芯片、所述第一反射層、第二反射層、第一透光層、第二透光層均關于所述中心軸線對稱設置,所述第一反射層、第二反射層、第一透光層、第二透光層的外周緣共面設置。
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