[發(fā)明專利]發(fā)光二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610623516.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-08-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107689409B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-09-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭建忠;黃建翔;沈佳輝;洪梓健 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 展晶科技(深圳)有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/46 | 分類號(hào): | H01L33/46;H01L33/44;H01L33/36 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飛亞 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 | ||
一種發(fā)光二極管,包括發(fā)光二極管芯片、圍設(shè)于所述發(fā)光二極管芯片周圍的第一反射層、依次覆蓋于所述發(fā)光二極管芯片之上的第一透光層、第二透光層,所述發(fā)光二極管芯片具有一主主出光面及位于所述主主出光面相對(duì)一側(cè)的第一電極和第二電極,還包括位于所述第一反射層和第一透光層之間且圍設(shè)于所述發(fā)光二極管芯片之間的第二反射層,所述第二反射層的反射率小于所述第一反射層的反射率,所述第一電極和第二電極的底面外露于所述第一反射層的底面。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管,特別涉及一種光指向性強(qiáng)、色溫均勻的發(fā)光二極管。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種可將電流轉(zhuǎn)換成特定波長(zhǎng)范圍的光電半導(dǎo)體元件。發(fā)光二極管以其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),從而可作為光源而廣泛應(yīng)用于照明領(lǐng)域。
傳統(tǒng)的發(fā)光二極管具是通過(guò)將發(fā)光二極管芯片芯片固定在一基板上,然后在所述發(fā)光二極管芯片周緣形成反射杯并在反射杯內(nèi)填充封裝材料及熒光粉來(lái)調(diào)節(jié)發(fā)光二極管的出光光效,甚至?xí)诎l(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)上的設(shè)置透鏡來(lái)擴(kuò)大發(fā)光二極管的出光角度。所述發(fā)光二極管底部出射的光線往往會(huì)被封裝材料的吸收以及基板的阻擋而不能出射,所述發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的光線從形成在基板之上的反射杯頂部出射,最終經(jīng)過(guò)透鏡或者其它擴(kuò)光元件使得發(fā)光二極管的出光角度進(jìn)一步增加。
然而這種結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管出光時(shí),因反射杯的內(nèi)壁對(duì)光線的反射使得自發(fā)光二極管芯片出射的光線的角度被擴(kuò)大,同時(shí)光線經(jīng)過(guò)封裝材料以及熒光粉的作用后使得自反射杯頂部出射光線的光指向性不強(qiáng),所述反射杯頂部周緣各處的出光色溫不均勻。因此,有必要對(duì)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),使得其能夠滿足光指向性更強(qiáng)、出光色溫更加均勻。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種光指向性強(qiáng)、發(fā)光色溫色溫均勻的發(fā)光二極管。
一種發(fā)光二極管,包括發(fā)光二極管芯片、圍設(shè)于所述發(fā)光二極管芯片周圍的第一反射層、依次覆蓋于所述發(fā)光二極管芯片之上的第一透光層、第二透光層,所述發(fā)光二極管芯片具有一主主出光面及位于所述主主出光面相對(duì)一側(cè)的第一電極和第二電極,還包括位于所述第一反射層和第一透光層之間且圍設(shè)于所述發(fā)光二極管芯片之間的第二反射層,所述第二反射層的反射率小于所述第一反射層的反射率,所述第一電極和第二電極的底面外露于所述第一反射層的底面。
進(jìn)一步地,所述第二反射層具有一第一表面及與所述第一表面相對(duì)的一第二表面,所述第一表面與所述第一反射層無(wú)縫貼合,所述第二表面與所述發(fā)光二極管的主出光面共面。
進(jìn)一步地,所述第二反射層的反射率小于40%,所述第二反射層的厚度大于100nm。
進(jìn)一步地,所述第一反射層的厚度與所述第二反射層的厚度之和等于所述發(fā)光二極管芯片的高度。
進(jìn)一步地,所述第一反射層的底部與所述第一電極、第二電極的底面共面設(shè)置。
進(jìn)一步地,所述第一透光層由透光性、導(dǎo)熱性能良好的材料組成。
進(jìn)一步地,所述第一透光層與所述發(fā)光二極管芯片的主出光面、所述第二反射層的第二表面之間無(wú)縫貼合。
進(jìn)一步地,所述第二透光層由封裝膠體組成,所述第二透光層的厚度大于所述第一透光層的厚度。
進(jìn)一步地,所述第二透光層中包含有熒光粉。
進(jìn)一步地,所述發(fā)光二極管進(jìn)一步具有一中心軸線,所述發(fā)光二極管芯片、所述第一反射層、第二反射層、第一透光層、第二透光層均關(guān)于所述中心軸線對(duì)稱設(shè)置,所述第一反射層、第二反射層、第一透光層、第二透光層的外周緣共面設(shè)置。
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