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[發明專利]像素結構及制作方法、陣列基板及制作方法和顯示裝置有效

專利信息
申請號: 201610620200.6 申請日: 2016-07-29
公開(公告)號: CN107665863B 公開(公告)日: 2020-02-07
發明(設計)人: 陳宇鵬 申請(專利權)人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
主分類號: H01L21/84 分類號: H01L21/84;H01L27/12;H01L23/544
代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所 代理人: 彭久云;王曉燕
地址: 100015 *** 國省代碼: 北京;11
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 像素 結構 制作方法 陣列 顯示裝置
【說明書】:

一種像素結構及其制作方法、陣列基板及其制作方法和顯示裝置,該像素結構的制作方法包括:在襯底基板上形成延伸方向相同且彼此間隔開的第一信號線和第二信號線;在所述襯底基板上形成初始像素電極,使所述初始像素電極包括第一延伸部,所述初始像素電極通過所述第一延伸部與所述第一信號線連接并且所述初始像素電極與所述第二信號線間隔開;以及去除所述初始像素電極的第一延伸部的至少部分以形成與所述第一信號線間隔開的像素電極。該方法可以提高信號線之間缺陷的檢測效果。

技術領域

發明的實施例涉及一種像素結構及其制作方法、陣列基板及其制作方法和顯示裝置。

背景技術

液晶顯示裝置是顯示領域中的主流產品。液晶顯示裝置的主要組成部分之一是設置有多個像素單元的陣列基板。例如,陣列基板的制作過程包括在基板上依次形成以下膜層:包括像素電極的像素電極層、包括柵線和公共電極線(也稱為存儲電容線)的柵金屬層、柵絕緣層、有源層、包括源/漏電極和數據線的數據金屬層、鈍化層以及包括公共電極的公共電極層。

發明內容

本發明的實施例提供一種像素結構及其制作方法、陣列基板及其制作方法和顯示裝置,以提高信號線之間缺陷的檢測效果。

本發明的至少一個實施例提供一種像素結構的制作方法,其包括:在襯底基板上形成延伸方向相同且彼此間隔開的第一信號線和第二信號線;在所述襯底基板上形成初始像素電極,使所述初始像素電極包括第一延伸部,所述初始像素電極通過所述第一延伸部與所述第一信號線連接并且所述初始像素電極與所述第二信號線間隔開;以及去除所述初始像素電極的第一延伸部的至少部分以形成與所述第一信號線間隔開的像素電極。

例如,所述的制作方法還包括:在形成所述第一信號線、第二信號線和初始像素電極之后,在所述襯底基板上形成公共電極。

例如,所述在所述襯底基板上形成公共電極包括:在所述襯底基板上形成公共電極薄膜;以及對所述公共電極薄膜進行刻蝕處理以形成所述公共電極,其中,在所述刻蝕處理過程中,所述初始像素電極的第一延伸部的所述至少部分被去除。

例如,所述的制作方法還包括:在形成所述公共電極之前,在所述襯底基板上形成覆蓋所述初始像素電極的絕緣層以及位于所述絕緣層中的過孔,其中,所述過孔至少暴露出所述初始像素電極的第一延伸部的所述至少部分。

例如,所述第一信號線和所述第二信號線中的一個為柵線且另一個為公共電極線。

例如,形成導電薄膜,并對所述導電薄膜進行圖案化處理,并且在所述圖案化處理過程中形成所述第一信號線和所述第二信號線。

例如,所述的制作方法還包括:在所述襯底基板上形成薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和有源層,所述初始像素電極還包括第二延伸部,所述第二延伸部與所述漏極連接。

例如,所述的制作方法還包括:在所述襯底基板上形成薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和有源層,所述漏極與所述初始像素電極的第一延伸部連接。

本發明的至少一個實施例還提供一種陣列基板的制作方法,其包括形成多個像素結構,所述像素結構采用以上任一項所述的方法制作。

本發明的至少一個實施例還提供一種像素結構,其包括:襯底基板;設置于所述襯底基板上的第一信號線和第二信號線,所述第一信號線與所述第二信號具有相同的延伸方向并且彼此間隔開;以及設置于所述襯底基板上的像素電極層,所述像素電極層包括像素電極和與所述像素電極間隔開的保留部,所述保留部與所述第一信號線連接并且與所述第二信號線間隔開。

例如,所述的像素結構還包括:公共電極,其設置于所述像素電極的遠離所述襯底基板的一側。

例如,所述的像素結構還包括覆蓋所述像素電極層的絕緣層,所述絕緣層中設置有過孔,所述過孔的至少一部分對應所述像素電極與所述保留部之間的間隔區域。

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