[發明專利]像素結構及制作方法、陣列基板及制作方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201610620200.6
• 申請日: 2016-07-29
• 公開（公告）號: CN107665863B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 陳宇鵬
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12;H01L23/544
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云;王曉燕

1.一種像素結構的制作方法，包括：

在襯底基板上形成延伸方向相同且彼此間隔開的第一信號線和第二信號線；

在所述襯底基板上形成初始像素電極，其中，所述初始像素電極包括第一延伸部，所述初始像素電極通過所述第一延伸部與所述第一信號線連接并且所述初始像素電極與所述第二信號線間隔開；以及

去除所述初始像素電極的第一延伸部的至少部分以形成與所述第一信號線間隔開的像素電極。

2.根據權利要求1所述的制作方法，還包括：

在形成所述第一信號線、第二信號線和初始像素電極之后，在所述襯底基板上形成公共電極。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其中，所述在所述襯底基板上形成公共電極包括：

在所述襯底基板上形成公共電極薄膜；以及

對所述公共電極薄膜進行刻蝕處理以形成所述公共電極，其中，在所述刻蝕處理過程中，所述初始像素電極的第一延伸部的所述至少部分被去除。

4.根據權利要求2或3所述的制作方法，還包括：

在形成所述公共電極之前，在所述襯底基板上形成覆蓋所述初始像素電極的絕緣層以及位于所述絕緣層中的過孔，其中，所述過孔至少暴露出所述初始像素電極的第一延伸部的所述至少部分。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的制作方法，其中，所述第一信號線和所述第二信號線中的一個為柵線且另一個為公共電極線。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其中，形成導電薄膜，并對所述導電薄膜進行圖案化處理，并且在所述圖案化處理過程中形成所述第一信號線和所述第二信號線。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的制作方法，還包括：

在所述襯底基板上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和有源層，

其中，所述初始像素電極還包括第二延伸部，所述第二延伸部與所述漏極連接。

8.根據權利要求1至3中任一項所述的制作方法，還包括：

在所述襯底基板上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和有源層，所述漏極與所述初始像素電極的第一延伸部連接。

9.一種陣列基板的制作方法，包括形成多個像素結構，其中，所述像素結構采用權利要求1至8中任一項所述的方法制作。

10.根據權利要求9所述的制作方法，還包括：

在去除所述初始像素電極的第一延伸部的至少部分之前，對位于相鄰的像素結構的初始像素電極之間的第一信號線和第二信號線進行缺陷檢測。

11.一種像素結構，包括：

襯底基板；

設置于所述襯底基板上的第一信號線和第二信號線，其中，所述第一信號線與所述第二信號具有相同的延伸方向并且彼此間隔開；

設置于所述襯底基板上的像素電極層，其中，所述像素電極層包括像素電極和與所述像素電極間隔開的保留部，所述保留部與所述第一信號線連接并且與所述第二信號線間隔開；以及

覆蓋所述像素電極層的絕緣層，其中，所述絕緣層中設置有過孔，所述過孔的至少一部分對應所述像素電極與所述保留部之間的間隔區域。

12.根據權利要求11所述的像素結構，還包括：

公共電極，其設置于所述像素電極的遠離所述襯底基板的一側。

13.根據權利要求12所述的像素結構，其中，所述過孔位于所述公共電極對應的區域之外。

14.根據權利要求11或13所述的像素結構，其中，所述像素電極包括第一凸起，所述第一凸起凸向與所述保留部連接的第一信號線，所述過孔位于所述第一凸起和所述保留部之間。