[發明專利]氮化硼納米管及其批量制備方法有效
| 申請號: | 201610619062.X | 申請日: | 2016-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN107673318B | 公開(公告)日: | 2020-11-27 |
| 發明(設計)人: | 姚亞剛;龍曉陽 | 申請(專利權)人: | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號: | C01B21/064 | 分類號: | C01B21/064;B82Y30/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氮化 納米 及其 批量 制備 方法 | ||
本發明公開了一種氮化硼納米管及其批量制備方法。所述制備方法包括:以硼酸鹽為硼源負載催化劑而形成前驅物,所述催化劑包括過渡金屬化合物;將所述前驅物于含氮氣氛中加熱至1200~1400℃,并在氨氣氣氛中保溫反應,之后在保護氣氛中降至室溫,獲得粗產物;以及,對所述粗產物進行后處理,制得所述氮化硼納米管。本發明提供的氮化硼納米管制備方法具有低成本、工藝簡單、產率高等特點,且易于放大,實現大量生產,同時所獲氮化硼納米管管徑為10~150nm,管長可達20~100微米,在復合材料、導熱材料等領域具有廣闊應用前景。
技術領域
本發明具體涉及一種氮化硼納米管的批量制備方法,屬于無機納米材料技術領域。
背景技術
氮化硼納米管(BNNT)作為一種新型的納米材料,其不僅與碳納米管(CNT)有著類似的晶體結構,而且還有著與CNT相媲美的力學性能和熱傳導性能。除此之外,氮化硼納米管還有優異的抗氧化性、化學穩定性和良好的絕緣性。這些獨特的性能使BNNT在納米半導體器件、儲氫材料、絕緣材料、以及抗氧化包覆層等領域具有廣泛的應用。
目前常用的氮化硼納米管合成方法有電弧放電法、激光燒蝕法、機械球磨法、CVD法熱分解法等。近年來,隨著氮化硼納米管的深入研究,在制備方法上取得很大的成功和進展。但現有的這些制備工藝普遍存在制備成本高或者設備工藝復雜,使用的原料具有一定的毒性、并且氮化硼納米管產量不高等缺點。
發明內容
本發明的主要目的在于提供一種氮化硼納米管及其批量制備方法,以克服現有技術中的不足。
為實現前述發明目的,本發明采用的技術方案包括:
本發明實施例中提供了一種氮化硼納米管的批量制備方法,其包括:
以硼酸鹽為硼源負載催化劑而形成前驅物,所述催化劑包括過渡金屬化合物;
將所述前驅物于含氮氣氛中加熱至1200~1400℃,并在氨氣氣氛中保溫反應,之后在保護氣氛中降至室溫,獲得粗產物,
對所述粗產物進行后處理,制得所述氮化硼納米管。
進一步的,所述氮化硼納米管的管徑為10~150nm,管長為20~100微米。
與現有技術相比,本發明提供的氮化硼納米管制備方法以廉價易得的硼酸鹽為硼源,通過催化劑的設計,在前驅體(即硼源)表面直接獲得氮化硼納米管,不需要其他基底作為氮化硼納米管的收集載體,工藝簡單,條件易控,成本低廉,可批量生產,氮化硼納米管產率高,且所獲氮化硼納米管在復合材料、導熱材料等領域具有廣闊應用前景。
附圖說明
圖1a-1b是本發明實施例1中制得的氮化硼納米管的SEM圖;
圖2是本發明實施例1中制得的氮化硼納米管的TEM圖;
圖3是圖2中單根氮化硼納米管的選區電子衍射(SAED)圖;
圖4是本發明實施例1中制得的氮化硼納米管的Raman光譜圖。
具體實施方式
鑒于現有技術中的不足,本案發明人經長期研究和大量實踐,得以提出本發明的技術方案,其主要是采用硼酸鹽為硼源,通過多種負載方式,將過渡金屬鹽或其氧化物或氫氧化物等催化劑負載于硼酸鹽表面,然后置入化學氣相沉積設備中,在含氮氣氛中加熱并保溫反應,再經后處理得到氮化硼納米管。如下將對該技術方案、其實施過程及原理等作進一步的解釋說明。
本發明實施例的一個方面提供了一種氮化硼納米管的批量制備方法,其包括:
以硼酸鹽為硼源負載催化劑而形成前驅物,所述催化劑包括過渡金屬化合物;
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