[發明專利]帶有埋藏的導電帶的元件載體

有效

• 申請號: 201610615063.7
• 申請日: 2016-07-29
• 公開（公告）號: CN107665877B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 威廉·塔姆;尼古拉斯·鮑爾-奧平戈
• 申請（專利權）人: 奧特斯奧地利科技與系統技術有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;王朋飛

本發明提供一種元件載體和一種導電帶的電接觸方法，其中導電帶被埋藏在覆蓋有導電層的電絕緣結構內。方法包括i)在導電帶上方的導電層中形成余隙孔，從而暴露余隙孔下方的電絕緣結構中的至少一部分；ii)選擇性地移除電絕緣結構的暴露的材料，從而暴露導電帶的頂表面和側表面；以及iii)用導電材料覆蓋頂表面的至少一部分和側表面的至少一部分。

技術領域

本發明總體涉及待與電子元件一起裝配以形成電子組件的元件載體。本發明具體地涉及一種帶有埋藏的導電帶(conductor track)的元件載體以及電接觸埋藏在元件載體內的導電帶的方法。

背景技術

高速數字電路信號完整性受諸如在元件載體內形成的導電帶和余隙孔(accesshole)的互連結構的粗糙度引起的信號噪聲嚴重限制是常見問題。因此，諸如非常低輪廓銅箔的各種導電層和非粗化促粘處理已經被引入以便處理與電路跟蹤(circuit trace)相關的這種問題。

然而，由機械鉆孔或激光鉆余隙孔限定的垂直互連的粗糙度引起的“偶然”天線效應對信號速度的進一步發展仍然存在嚴重的障礙。此外，垂直互連已經被確定為關于耐熱和耐機械應力的常見弱點。

照慣例，通過激光輻射形成直徑在μm范圍的余隙孔是高密度互連(HDI)元件載體生產中的關鍵技術之一。市售的激光鉆孔系統通常利用兩種激光技術：CO₂激光技術和UV激光技術。

然而，這些激光鉆孔方法的應用可能會導致在余隙孔的壁中的瑕疵。例如，在通過傳統的CO₂激光束在元件載體內制造余隙孔的過程期間，其中通常存在底切、龜裂、玻璃凸起和槽楔的結構被獲得。

這些缺點導致信號噪聲并且限制例如高速數字電路的信號完整性。

發明內容

本發明的目的是顯著降低噪音、高度改善信號完整性、使元件載體內的高速信號速率進一步提升。

為了實現上述目的，提供一種根據本發明的元件載體以及導電帶的導電方法。

根據本發明的示例性實施例，提供一種元件載體，其包括電絕緣結構、被埋藏或嵌入在電絕緣結構內的導電帶以及在電絕緣結構上的圖案化導電層。此外，元件載體包括余隙孔，其穿過電絕緣結構和圖案化導電層延伸并且至少部分地填充有導電材料以覆蓋導電帶的頂表面的至少一部分和側表面的至少一部分。

描述的元件載體是基于埋藏在元件載體的電絕緣結構內的導電帶可穿過或經由適當的余隙孔容易地進入的想法。由于導電材料至少部分覆蓋余隙孔以及導電帶的頂表面和側表面兩者，因此良好的和可靠的導電性可在余隙孔的區域內獲得。導電材料可通過余隙孔被單獨地施加至導電帶，以例如使導電帶與另一導電帶接觸。這可提供將存在多個選擇以連接導電帶或多個導電帶的優點。因此，與已知技術相比，接觸元件載體內的導電帶或多個導電帶的靈活性被增大，這導致信號完整性的更好表現，特別是在高頻應用的情況下。

根據本發明的另一示例性實施例，提供一種導電帶的電接觸方法，其中導電帶被埋藏在覆蓋有導電層的電絕緣結構內。該方法包括：i)在導電帶上方的導電層中形成余隙孔，從而暴露余隙孔下方的電絕緣結構的至少一部分；ii)選擇性地移除電絕緣結構的暴露材料，從而暴露導電帶的頂表面和側表面；以及iii)用導電材料覆蓋頂表面的至少一部分和側表面的至少一部分。