[發(fā)明專利]具有偏移補償?shù)膭討B(tài)感測放大器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610605150.4
• 申請日: 2016-07-27
• 公開（公告）號: CN107103922B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: F·拉羅薩;A·康特
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導體(魯塞)公司;意法半導體股份有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種電子電路，包括：

具有交叉耦合布置的第一反相器和第二反相器；以及

補償電路裝置，被配置成分別根據(jù)第一位線信號和第二位線信號控制所述第一反相器和所述第二反相器的供電，其中所述第一位線信號電容耦合到所述第一反相器的供電而不直接耦合到所述第一反相器和所述第二反相器中任一個的輸入和輸出，并且其中所述第二位線信號電容耦合到所述第二反相器的供電而不直接耦合到所述第一反相器和所述第二反相器中任一個的輸入和輸出，其中所述補償電路裝置包括：

第一電容器，將所述第一位線信號直接耦合至所述第一反相器的供電端子；以及

第二電容器，將所述第二位線信號直接耦合至所述第二反相器的供電端子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子電路，其中所述第一反相器的供電端子包括高電壓供電端子；以及其中所述第二反相器的供電端子包括高電壓供電端子。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子電路，其中所述第一反相器的高電壓供電端子包括所述第一反相器的PMOS晶體管的源極節(jié)點；以及其中所述第二反相器的高電壓供電端子包括所述第二反相器的PMOS晶體管的源極節(jié)點。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子電路，其中所述第一反相器的供電端子包括低電壓供電端子；以及其中所述第二反相器的供電端子包括低電壓供電端子。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子電路，其中所述第一反相器的低電壓供電端子包括所述第一反相器的NMOS晶體管；以及其中所述第二反相器的低電壓供電端子包括所述第二反相器的NMOS晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子電路，其中所述補償電路裝置包括：

第三電容器，將所述第一位線信號直接耦合至所述第一反相器的第二供電端子；以及

第四電容器，將所述第二位線信號直接耦合至所述第二反相器的第二供電端子。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子電路，其中所述補償電路裝置還包括：

第一開關(guān)，被配置用于在預充電模式中時短接所述第一反相器的輸入和輸出并且在感測模式中時去耦合所述第一反相器的輸入和輸出；以及

第二開關(guān)，被配置用于在預充電模式中時短接所述第二反相器的輸入和輸出并且在感測模式中時去耦合所述第二反相器的輸入和輸出。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子電路，還包括被配置成對所述第一位線信號和所述第二位線信號預充電的第一預充電電路和第二預充電電路。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子電路，還包括耦合在所述第二反相器的輸出與所述第一反相器的輸入之間的第一濾波電容器、以及耦合在所述第一反相器的輸出與所述第二反相器的輸入之間的第二濾波電容器。

10.一種電子電路，包括：

第一反相器和第二反相器，具有交叉耦合布置并且均具有第一供電端子和第二供電端子；

第一供電部件和第二供電部件的第一集合，耦合至所述第一反相器的第一供電端子和第二供電端子；

第一供電部件和第二供電部件的第二集合，耦合至所述第二反相器的第一供電端子和第二供電端子；

第一位線，經(jīng)由第一電容器直接耦合至在所述第一集合的第一供電部件與所述第一反相器的第一供電端子之間的第一節(jié)點而不直接耦合到所述第一反相器和所述第二反相器中任一個的輸入和輸出；

第二位線，經(jīng)由第二電容器直接耦合至在所述第二集合的第一供電部件與所述第二反相器的第一供電端子之間的第二節(jié)點而不直接耦合到所述第一反相器和所述第二反相器中任一個的輸入和輸出；

第一開關(guān)，耦合在所述第一反相器的輸入與輸出之間；以及

第二開關(guān)，耦合在所述第二反相器的輸入與輸出之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子電路，其中所述第一位線還經(jīng)由第三電容器直接耦合至在所述第一集合的第二供電部件與所述第一反相器的第二供電端子之間的第三節(jié)點。