[發(fā)明專利]封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610603368.6
• 申請日: 2016-07-28
• 公開（公告）號: CN107622953B
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱士超;林俊賢;白裕呈;范植文;陳嘉成;何祈慶;洪祝寶;蔡瀛洲
• 申請（專利權(quán)）人: 矽品精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/498
• 代理公司: 11314 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法包括：

提供一第一無核心層式封裝基板及一第二無核心層式封裝基板，其中，該第二無核心層式封裝基板的一側(cè)設(shè)有至少一電子元件，且該第一無核心層式封裝基板以第一絕緣層結(jié)合至一承載板；

將該第一無核心層式封裝基板以多個(gè)第一導(dǎo)電元件結(jié)合至該第二無核心層式封裝基板設(shè)有該電子元件的一側(cè)上，且該第一無核心層式封裝基板相對于結(jié)合該第二無核心層式封裝基板的另一側(cè)結(jié)合有該承載板；以及

形成封裝層于該第一無核心層式封裝基板與該第二無核心層式封裝基板之間，以令該封裝層包覆該多個(gè)第一導(dǎo)電元件與該電子元件。

2.如權(quán)利要求1所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該第一無核心層式封裝基板還包含第一介電層、及嵌埋于該第一介電層中并電性連接該多個(gè)第一導(dǎo)電元件的第一線路層。

3.如權(quán)利要求2所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該第一無核心層式封裝基板還包含嵌埋于該第一介電層中并形成于該第一線路層上的多個(gè)第一導(dǎo)電柱，以令該多個(gè)第一導(dǎo)電元件藉由該第一導(dǎo)電柱電性連接該第一線路層。

4.如權(quán)利要求1所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于形成該封裝層后，移除該承載板。

5.如權(quán)利要求1所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于形成該封裝層后，移除該承載板。

6.如權(quán)利要求5所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于移除該承載板后，于該第一絕緣層中形成多個(gè)第一開孔。

7.如權(quán)利要求1所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該第二無核心層式封裝基板與該電子元件之間形成有底膠。

8.如權(quán)利要求1所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該第二無核心層式封裝基板包含一線路增層結(jié)構(gòu)，且令該第一導(dǎo)電元件與該電子元件電性連接該線路增層結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求8所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該第二無核心層式封裝基板還包含形成于該線路增層結(jié)構(gòu)上并電性連接該線路增層結(jié)構(gòu)的多個(gè)第二導(dǎo)電元件，以令該多個(gè)第二導(dǎo)電元件結(jié)合該第一導(dǎo)電元件與該電子元件。

10.如權(quán)利要求9所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該封裝層還包覆該多個(gè)第二導(dǎo)電元件。

11.如權(quán)利要求8所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該第二無核心層式封裝基板還包含一形成于該線路增層結(jié)構(gòu)上的第二絕緣層。

12.如權(quán)利要求11所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于結(jié)合該第一與第二無核心層式封裝基板之前，該第二無核心層式封裝基板以該第二絕緣層結(jié)合另一承載板。

13.如權(quán)利要求12所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于形成該封裝層后，移除該另一承載板。

14.如權(quán)利要求13所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于移除該另一承載板之后，于該第二絕緣層中形成多個(gè)第二開孔。

15.如權(quán)利要求1所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括于形成該封裝層后，設(shè)置另一電子元件于該第一無核心層式封裝基板上。

16.如權(quán)利要求15所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該制法還包括形成封裝材于該第一無核心層式封裝基板上，以令該封裝材包覆該另一電子元件。

17.如權(quán)利要求1所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該多個(gè)第一導(dǎo)電元件先設(shè)于該第一無核心層式封裝基板的一側(cè)，再將該第一無核心層式封裝基板結(jié)合至該第二無核心層式封裝基板上。

18.如權(quán)利要求1所述的封裝堆迭結(jié)構(gòu)的制法，其特征為，該多個(gè)第一導(dǎo)電元件先設(shè)于該第二無核心層式封裝基板的一側(cè)，再將該第一無核心層式封裝基板結(jié)合至該第二無核心層式封裝基板上。