[發明專利]一種提高石墨烯成核密度的石墨烯生長方法在審
| 申請號： | 201610591642.2 | 申請日： | 2016-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN107653446A | 公開（公告）日： | 2018-02-02 |
| 發明（設計）人： | 狄增峰;馬駿;張苗;王剛;賈鵬飛;汪子文;王曦 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | C23C16/02 | 分類號： | C23C16/02;C23C16/26 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 石墨 成核 密度 生長 方法 | ||
1.一種提高石墨烯成核密度的石墨烯生長方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1：提供一Ge襯底，對所述Ge襯底進行離子注入；
S2：進行退火，使所述Ge襯底中的注入離子至少有一部分析出到所述Ge襯底表面，以增加所述Ge襯底表面的石墨烯成核點；
S3：提供碳源，在所述Ge襯底表面生長得到石墨烯。
2.根據權利要求1所述的提高石墨烯成核密度的石墨烯生長方法，其特征在于：于所述步驟S1中，采用Si、Ge、C、H中的一種或多種對所述Ge襯底進行離子注入。
3.根據權利要求1所述的提高石墨烯成核密度的石墨烯生長方法，其特征在于：于所述步驟S1中，離子注入深度為100-200nm。
4.根據權利要求1所述的提高石墨烯成核密度的石墨烯生長方法，其特征在于：于所述步驟S1中，離子注入能量范圍是10-20KeV，離子注入劑量范圍是1E14-5E15atom/cm2。
5.根據權利要求1所述的提高石墨烯成核密度的石墨烯生長方法，其特征在于：于所述步驟S2中，退火溫度范圍是600-1200℃，退火氣氛包括氫氣及惰性氣體，退火時間為5-150min。
6.根據權利要求1所述的提高石墨烯成核密度的石墨烯生長方法，其特征在于：于所述步驟S3中，采用化學氣相沉積法生長石墨烯。
7.根據權利要求1所述的提高石墨烯成核密度的石墨烯生長方法，其特征在于：于所述步驟S3中，所述碳源包括甲烷、乙烯、乙炔、苯、PMMA及石墨中的一種或多種。
8.根據權利要求1所述的提高石墨烯成核密度的石墨烯生長方法，其特征在于：于所述步驟S3中，石墨烯生長溫度范圍是900-940℃，生長氣氛包括氫氣及惰性氣體。
9.根據權利要求1所述的提高石墨烯成核密度的石墨烯生長方法，其特征在于：于所述步驟S3中，當生長面積為1cm2的石墨烯時，生長時間為80-180min。
10.根據權利要求1所述的提高石墨烯成核密度的石墨烯生長方法，其特征在于：所述石墨烯為單層石墨烯。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
