[發明專利]一種NiOOH@CuO/Cu2O復合納米片陣列薄膜及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 201610589517.8 | 申請日： | 2016-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN106158408B | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發明（設計）人： | 舒霞;吳玉程;王巖;秦永強;崔接武;鄭紅梅;張勇 | 申請（專利權）人： | 合肥工業大學 |
| 主分類號： | H01G11/46 | 分類號： | H01G11/46;H01G11/24;H01G11/28;H01G11/86;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230000 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米片陣列 制備方法和應用 復合納米片 陣列薄膜 制備 超級電容電極 納米復合材料 硝酸鎳水溶液 陽極氧化工藝 循環穩定性 羥基氧化鎳 電化學 電極材料 交錯排列 銅材表面 原位沉積 比電容 高純 基底 可控 水熱 沉積 垂直 生長 應用 表現 | ||
【說明書】：
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