[發(fā)明專利]一種NiOOH@CuO/Cu2O復(fù)合納米片陣列薄膜及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610589517.8 | 申請(qǐng)日： | 2016-07-25 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106158408B | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 舒霞;吳玉程;王巖;秦永強(qiáng);崔接武;鄭紅梅;張勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 合肥工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01G11/46 | 分類號(hào)： | H01G11/46;H01G11/24;H01G11/28;H01G11/86;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230000 *** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米片陣列 制備方法和應(yīng)用 復(fù)合納米片 陣列薄膜 制備 超級(jí)電容電極 納米復(fù)合材料 硝酸鎳水溶液 陽(yáng)極氧化工藝 循環(huán)穩(wěn)定性 羥基氧化鎳 電化學(xué) 電極材料 交錯(cuò)排列 銅材表面 原位沉積 比電容 高純 基底 可控 水熱 沉積 垂直 生長(zhǎng) 應(yīng)用 表現(xiàn) | ||
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