[發(fā)明專利]OLED顯示器件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610586067.7
• 申請日: 2016-07-22
• 公開（公告）號: CN106129263B
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設計）人: 徐超
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

技術領域

本發(fā)明涉及光電顯示技術領域，尤其涉及一種OLED顯示器件及其制作方法。

背景技術

有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diodes，OLED)顯示器件具有自發(fā)光、驅動電壓低、發(fā)光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬、及可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

OLED顯示器件屬于自發(fā)光型顯示設備，通常包括分別用作陽極、與陰極的像素電極、和公共電極、以及設在像素電極與公共電極之間的有機功能層，使得在適當?shù)碾妷罕皇┘佑陉枠O與陰極時，從有機功能層發(fā)光。其中，有機發(fā)光層包括了設于陽極上的空穴注入層(Hole injection layer，HIL)、設于空穴注入層上的空穴傳輸層(Hole transport layer，HTL)、設于空穴傳輸層上的有機發(fā)光層(Emitting layer，EL)、設于有機發(fā)光層上的電子傳輸層(Electron transport layer，ETL)、及設于電子傳輸層上的電子注入層(Electron injection layer，EIL)，其發(fā)光機理為在一定電壓驅動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子注入層和空穴注入層，電子和空穴分別經過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經過輻射弛豫而發(fā)出可見光。

在顯示面板行業(yè)中，OLED顯示裝置相較于傳統(tǒng)的薄膜晶體管型液晶顯示裝置(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)，具有十分優(yōu)異的顯示性能，其最大的優(yōu)勢就是可制備大尺寸、超薄、柔性和透明顯示器件。

然而，制備透明顯示器需要解決透明電極的問題，透明電極材料既要求有較高的導電性，還要有較高的透過率。目前使用的透明電極材料主要是氧化銦錫(ITO)，由于蒸鍍的有機薄膜較薄，而ITO通常采用濺射法制備，濺射的功率過高會對有機層造成破壞，濺射的功率太低則成膜時間太長，量產產能很低。高柔性的PEDOT:PSS(聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸))膜作為常用的有機透明導電膜涂料已經備受材料界關注，因為其溶液特性，可以使用常見的濕法成膜工藝來制備PEDOT:PSS薄膜，相對于ITO膜，設備投入大幅降低。但由于在形成PEDOT:PSS膜時，PEDOT:PSS溶液的溶劑中含有水，容易對有機發(fā)光層造成破壞，故要用PEDOT:PSS膜作為OLED顯示器件的透明電極時，首先必須解決這個問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示器件，可用于構成透明OLED顯示器件，制作工藝簡單，生產成本低。

本發(fā)明的目的還在于提供一種OLED顯示器件的制作方法，可用于制作透明OLED顯示器件，制作工藝簡單，生產成本低。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種OLED顯示器件，包括基板、設于所述基板上的陰極、設于所述陰極上的電子注入/傳輸層、設于所述電子注入/傳輸層上的有機發(fā)光層、設于所述有機發(fā)光層上的空穴傳輸層、設于所述空穴傳輸層上的空穴注入層、及設于所述空穴注入層上的陽極；

所述基板為TFT陣列基板，所述陰極為TFT陣列基板上的透明像素電極；

所述陽極為PEDOT:PSS透明導電膜，所述PEDOT:PSS透明導電膜包含PEDOT:PSS；

所述空穴注入層的材料為疏水性有機材料；

所述空穴傳輸層的材料為無機材料。

所述陽極通過濕法成膜工藝形成，所述PEDOT:PSS透明導電膜還包含摻雜于PEDOT:PSS中的石墨烯、碳納米管、或金屬納米粒子。

所述空穴注入層的材料為Poly-TPD、或TFB。

所述空穴傳輸層的材料為MoO₃、NiO、或WO₃。

所述電子注入/傳輸層的材料為ZnO、或PFN；所述陰極的材料為ITO。

本發(fā)明還提供一種OLED顯示器件的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供基板，所述基板上設有陰極，在所述陰極上涂布形成電子注入/傳輸層；

所述基板為TFT陣列基板，所述陰極為TFT陣列基板上的透明像素電極；

步驟2、在所述電子注入/傳輸層上涂布、或蒸鍍形成有機發(fā)光層；

步驟3、在所述有機發(fā)光層上蒸鍍形成空穴傳輸層，所述空穴傳輸層的材料為無機材料；