[發明專利]OLED顯示器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201610586067.7
• 申請日: 2016-07-22
• 公開（公告）號: CN106129263B
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: 徐超
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

1.一種OLED顯示器件，其特征在于，包括基板(10)、設于所述基板(10)上的陰極(21)、設于所述陰極(21)上的電子注入/傳輸層(22)、設于所述電子注入/傳輸層(22)上的有機發光層(23)、設于所述有機發光層(23)上的空穴傳輸層(24)、設于所述空穴傳輸層(24)上的空穴注入層(25)、及設于所述空穴注入層(25)上的陽極(26)；

所述基板(10)為TFT陣列基板，所述陰極(21)為TFT陣列基板上的透明像素電極；

所述陽極(26)為PEDOT:PSS透明導電膜，所述PEDOT:PSS透明導電膜包含PEDOT:PSS；

所述空穴注入層(25)的材料為疏水性有機材料；

所述空穴傳輸層(24)的材料為無機材料；

所述陽極(26)通過濕法成膜工藝形成，所述PEDOT:PSS透明導電膜還包含摻雜于PEDOT:PSS中的石墨烯、碳納米管、或金屬納米粒子；

所述空穴注入層(25)的材料為Poly-TPD、或TFB。

2.如權利要求1所述的OLED顯示器件，其特征在于，所述空穴傳輸層(24)的材料為MoO₃、NiO、或WO₃。

3.如權利要求1所述的OLED顯示器件，其特征在于，所述電子注入/傳輸層(22)的材料為ZnO、或PFN；所述陰極(21)的材料為ITO。

4.一種OLED顯示器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供基板(10)，所述基板(10)上設有陰極(21)，在所述陰極(21)上涂布形成電子注入/傳輸層(22)；

所述基板(10)為TFT陣列基板，所述陰極(21)為TFT陣列基板上的透明像素電極；

步驟2、在所述電子注入/傳輸層(22)上涂布、或蒸鍍形成有機發光層(23)；

步驟3、在所述有機發光層(23)上蒸鍍形成空穴傳輸層(24)，所述空穴傳輸層(24)的材料為無機材料；

步驟4、在所述空穴傳輸層(24)上涂布形成空穴注入層(25)，所述空穴注入層(25)的材料為疏水性有機材料；

步驟5、采用濕法成膜工藝在所述空穴注入層(25)上形成陽極(26)，所述陽極(26)為PEDOT:PSS透明導電膜，所述PEDOT:PSS透明導電膜包含PEDOT:PSS；

所述空穴注入層(25)的材料為Poly-TPD、或TFB。

5.如權利要求4所述的OLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述PEDOT:PSS透明導電膜還包含摻雜于PEDOT:PSS中的石墨烯、碳納米管、或金屬納米粒子。

6.如權利要求4所述的OLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述空穴傳輸層(24)的材料為MoO₃、NiO、或WO₃。

7.如權利要求4所述的OLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述電子注入/傳輸層(22)的材料為ZnO、或PFN；所述陰極(21)的材料為ITO。