[發明專利]一種半導體結構

有效

• 申請號: 201610578971.3
• 申請日: 2016-07-22
• 公開（公告）號: CN107644898B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 陳智圣;林昭毅
• 申請（專利權）人: 立積電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 上海市錦天城律師事務所 31273
• 代理人: 劉民選

1.一種半導體結構，包含：

一第一阱區；

一半導體組件，形成或接觸于該第一阱區；

一第二阱區，其中該第一阱區是形成于該第二阱區內；及

一第一隔離層，用以降低該第一阱區及該第二阱區間的寄生效應，該第一隔離層的底部的深度是至少深達該第一阱區的底部的深度，且該第一隔離層是實質上沿著該第一阱區和第二阱區之間的邊界形成一第一環狀結構；

其中該第二阱區的摻雜類型系相異于該第一阱區的摻雜類型；

一第一摻雜區，位于該第一阱區；

一第二摻雜區，位于該第一阱區；

一重摻雜區，形成于該第一阱區，并位于該第一摻雜區及該第一阱區的側部邊界之間、及該第二摻雜區及該第一阱區的側部邊界之間；

一第二隔離層，位于該重摻雜區及該第一摻雜區之間、及該重摻雜區及該第二摻雜區之間，用以降低該重摻雜區及該第一摻雜區之間、及該重摻雜區及該第二摻雜區之間的寄生效應，該第二隔離層形成一第二環狀結構；

其中該第二環狀結構具有N個第二開口，N為大于0的正整數。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該第一隔離層的底部是淺于該第二阱區的底部。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該第一隔離層的底部的深度是至少深達該第二阱區的底部的深度，該第一環狀結構是具有M個第一開口，且M為大于0的正整數。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該第一隔離層是位于該第一阱區的側部邊界且接觸該第一阱區與該第二阱區。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該第一隔離層是位于該第一阱區的側部邊界的內側或外側，且該第一隔離層是實質上未接觸該第一阱區的側部邊界。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該第二摻雜區、該第一阱區及該第一摻雜區形成一晶體管組件。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該第二隔離層是接觸該重摻雜區、該第一摻雜區及/或該第二摻雜區。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，該半導體結構另包含：

一第三阱區，其中該第二阱區是形成于該第三阱區內；及

一第三隔離層，用以降低該第二阱區及該第三阱區間的寄生效應，該第三隔離層是實質上沿著該第二阱區的側部邊界形成一第三環狀結構；

其中該第三阱區的摻雜類型是相異于該第二阱區的摻雜類型。

9.根據權利要求8所述的半導體結構，其中該第三隔離層的底部的深度是至少深達該第三阱區的底部的深度，該第三環狀結構是具有K個第三開口，K為大于0的正整數。

10.一種半導體結構，包含：

一第一阱區；

一半導體組件，形成或接觸于該第一阱區；

一第二阱區，其中該第一阱區是形成于該第二阱區內；

一重摻雜區，形成于該第一阱區，位于該半導體組件及該第一阱區的側部邊界之間；及

一第二隔離層，用以降低該重摻雜區及該半導體組件之間的寄生效應，該第二隔離層沿著該第一阱區和第二阱區之間的邊界形成一第二環狀結構，該第二隔離層的底部的深度是至少深達該第一阱區的底部的深度；

其中該第二環狀結構具有N個第二開口，該第二阱區的摻雜類型是相異于該第一阱區，N為大于0正整數。

11.根據權利要求10所述的半導體結構，另包含：

一第一摻雜區，形成于該第一阱區；

一第二摻雜區，形成于該第一阱區，用以與該第一阱區及該第一摻雜區形成該半導體組件；

其中該重摻雜區是位于第一摻雜區及該第一阱區的側部邊界之間、及該第二摻雜區及該第一阱區的側部邊界之間，該第二隔離層是用以降低該重摻雜區及該第一摻雜區或該第二摻雜區之間的寄生效應。