[發明專利]一種半導體結構

有效

• 申請號: 201610578971.3
• 申請日: 2016-07-22
• 公開（公告）號: CN107644898B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 陳智圣;林昭毅
• 申請（專利權）人: 立積電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 上海市錦天城律師事務所 31273
• 代理人: 劉民選

本發明公開了一種半導體結構，包含一第一井區；一半導體組件，形成或接觸于該第一井區；一第二井區，該第一井區是形成于該第二井區；及一第一隔離層，用以降低該第一井區及該第二井區間的寄生效應。該第一隔離層的底部的深度是至少深達該第一井區的底部的深度。該第一隔離層是實質上沿著該第一井區的側部邊界形成一環狀結構，其中該第二井區的參雜類型是相異于該第一井區的參雜類型。

技術領域

本發明是關于一種半導體結構，尤指具有隔離層以降低寄生效應的半導體結構。

背景技術

隨著高頻應用逐漸普及，半導體結構的制程領域亦面臨高頻操作所導致的寄生電容與寄生電阻增加的寄生效應的問題。舉例而言，于一般的單阱(single-well)互補式金氧半導體組件中，僅具有單一阱區，其設置于半導體基板(substrate)上，當此單阱晶體管結構操作于高頻時，阱區及基板間的寄生效應將造成干擾而導致電路特性不良。因此，目前本領域已有多重阱(multi-well)的半導體組件，例如三重阱(triple-well)晶體管組件，其是使用多重阱區以提供較高的隔離效果。然而，當使用于更高頻的操作，例如射頻(radiofrequency)應用時，寄生效應仍難以降低，故本領域實須解決方案以更有效地降低晶體管組件的寄生效應。

有鑒于此，如何設計一種新的半導體結構，以消除現有技術中的上述缺陷和不足，是業內相關技術人員亟待解決的一項課題。

發明內容

為了克服現有技術中的技術問題，本發明提供了一種具有較低寄生效應的半導體結構。

本發明一實施例公開了一種半導體結構，包含一第一阱區、一半導體組件、一第二阱區及一第一隔離層。該半導體組件形成或接觸于該第一阱區。該第一阱區是形成于該第二阱區內。該第一隔離層是用以降低該第一阱區及該第二阱區間的寄生效應，該第一隔離層的底部的深度是至少深達該第一阱區的底部的深度，且該第一隔離層是實質上沿著該第一阱區的側部邊界形成一第一環狀結構，其中該第二阱區的摻雜類型是相異于該第一阱區的摻雜類型。

本發明的另一實施例公開一種半導體結構，包含一第一阱區、一半導體組件、一第二阱區、一重摻雜區、一第二隔離層。該半導體組件形成或接觸于該第一阱區。該第一阱區是形成于該第二阱區內。該重摻雜區是形成于該第一阱區，并位于該半導體組件及該第一阱區的側部邊界之間。該第二隔離層是用以降低該重摻雜區及該半導體組件之間的寄生效應，該第二隔離層形成一第二環狀結構，該第二隔離層的底部的深度是至少深達該第一阱區的底部的深度。該第二環狀結構具有N個第二開口，該第二阱區的摻雜類型是相異于該第一阱區的摻雜類型，N為大于0的正整數。

本發明實施例的具有足夠深度的隔離層結構的半導體結構，實可于高頻操作下有效提高等效寄生電阻與降低寄生電容，從而避免寄生效應而提高組件效能，又因隔離層形成之環狀結構可視其深度留有開口，故可支持逆向偏壓之施加而進一步削減寄生效應，故本發明對于提升高頻操作的效能實有幫助。

附圖說明

關于本發明的優點與精神可以通過以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的了解。

圖1是本發明實施例的半導體結構的剖面示意圖；

圖2是本發明另一實施例的半導體結構的剖面示意圖；

圖3是圖2的實施例的半導體結構的布局示意圖；

圖4是本發明另一實施例的半導體結構的剖面示意圖；

圖5是圖4的實施例的半導體結構的布局示意圖；

圖6是本發明另一實施例的半導體結構的剖面示意圖；

圖7是本發明另一實施例的半導體結構的剖面示意圖；

圖8是本發明另一實施例的半導體結構的剖面示意圖；

圖9是本發明另一實施例的半導體結構的剖面示意圖；