[發明專利]半導體存儲裝置有效
| 申請號： | 201610575979.4 | 申請日： | 2016-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN107170746B | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發明（設計）人： | 前嶋洋 | 申請（專利權）人： | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/1157 | 分類號： | H01L27/1157;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 張世俊 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 存儲 裝置 | ||
1.一種半導體存儲裝置，其特征在于，具備：
存儲單元陣列，具備多個存儲串，所述多個存儲串分別具備第1及第2選擇晶體管、以及在所述第1及第2選擇晶體管之間串聯連接并且積層的多個存儲單元；
多條字線，分別連接在所述多個存儲單元；
位線，共通連接在所述多個第1選擇晶體管；
多個第1選擇柵極線，分別連接在所述多個第1選擇晶體管的柵極；
多個第2選擇柵極線，分別連接在所述多個第2選擇晶體管的柵極；以及
源極線，共通連接在所述多個第2選擇晶體管；且
讀取動作包括第1期間及所述第1期間之后的第2期間；
在所述第1期間及所述第2期間，對所述源極線施加高于接地電壓的第1電壓，在所述第1期間及所述第2期間，對連接在所選擇的存儲串的第1及第2選擇柵極線，施加將所述第1及第2選擇晶體管設為接通狀態的第2電壓，
在所述第1期間，對連接在非選擇的存儲串的第1選擇柵極線施加所述第2電壓，
在所述第2期間，對連接在所述非選擇的存儲串的第1選擇柵極線施加第3電壓，該第3電壓高于所述接地電壓，并且為對所述第1電壓加上所述第1選擇晶體管的閾值所得的電壓以下；
在所述第2期間，對所述位線施加高于所述第1電壓與所述第3電壓的第4電壓，并對選擇的字線施加讀取電壓。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述第3電壓與所述第1電壓相同。
3.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其特征在于：在所述第1期間及所述第2期間，對連接在所述非選擇的存儲串的第2選擇柵極線施加所述第2電壓。
4.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其特征在于：在所述第1期間，對連接在所述非選擇的存儲串的第2選擇柵極線施加所述第2電壓，
在所述第2期間，對連接在所述非選擇的存儲串的第2選擇柵極線施加所述第3電壓，且
在所述讀取動作的繼所述第2期間之后的第3期間，對連接在所述非選擇的存儲串的第2選擇柵極線施加所述第2電壓。
5.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其特征在于：在所述第1期間，對非選擇的字線施加將存儲單元設為接通狀態的第5電壓。
6.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其特征在于：在所述第1期間，對所述位線施加所述第1電壓，或使所述位線為浮動狀態。
7.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其特征在于：所述多個第2選擇柵極線作為1條第2選擇柵極線而被共有。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
