[發(fā)明專利]一種非易失性存儲器的數(shù)據(jù)讀取裝置及方法

在審

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• 申請日: 2016-07-19
• 公開（公告）號: CN107633865A
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發(fā)明（設計）人: 薛子恒;劉奎偉;潘榮華
• 申請（專利權）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/06;G11C16/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆,胡彬

技術領域

本發(fā)明涉及存儲器技術領域，尤其涉及一種非易失性存儲器的數(shù)據(jù)讀取裝置及方法。

背景技術

隨著電子設備的不斷普及，人們對于高密度和低功耗的非易失性存儲器的需求與日俱增。可靠性是評價存儲器的一個重要指標。可靠性是指產品在規(guī)定條件下和規(guī)定時間內完成規(guī)定的功能。

數(shù)據(jù)保持力是評價非易失性存儲器可靠性的重要參數(shù)。數(shù)據(jù)保持力是指非易失性存儲器存儲的數(shù)據(jù)經(jīng)過一段時間后沒有失真或丟失，仍可有效讀出的能力。由于非易失性存儲器具有掉電數(shù)據(jù)不丟失的特點，因此，其具有一定的數(shù)據(jù)保持力，并可通過讀取操作讀出其存儲的數(shù)據(jù)。

對存儲單元而言，浮柵中存儲的電荷量決定了存儲單元的閾值電壓，而存儲單元的閾值電壓則決定了存儲單元是存儲數(shù)據(jù)“0”，還是存儲數(shù)據(jù)“1”。但由于一些外部因素影響，會造成浮柵中存儲的電荷增加，從而引起存儲單元閾值電壓的升高，隨著時間的推移，當閾值電壓升高到一定值后，存儲單元中的存儲的數(shù)據(jù)會發(fā)生變化，當用戶下次再對該存儲單元進行讀操作時，會造成誤讀，導致非易失性存儲器的可靠性降低。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種非易失性存儲器的數(shù)據(jù)讀取裝置及方法，以減少非易失性存儲器讀操作過程中的誤讀，提高非易失性存儲器數(shù)據(jù)的可靠性。

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種非易失性存儲器的數(shù)據(jù)讀取裝置，該裝置包括：

讀取比較器，所述讀取比較器的輸入端與讀取參考電壓和存儲單元的輸出端相連，用于根據(jù)接收到的讀取請求，將所述存儲單元的單元電壓與讀取參考電壓進行比較，并輸出讀取結果；

校驗比較器，所述校驗比較器的輸入端與校驗參考電壓和存儲單元的輸出端相連，用于將所述存儲單元的單元電壓與校驗參考電壓進行比較，并輸出校驗結果；其中，所述校驗參考電壓小于所述讀取參考電壓；

偏移地址記錄單元，與所述讀取比較器和所述校驗比較器相連，用于根據(jù)讀取結果和校驗結果，在確定單元電壓高于設定門限值時，確定所述存儲單元為偏移存儲單元，則記錄所述偏移存儲單元的偏移單元地址；

讀取糾正單元，與所述偏移地址記錄單元相連，用于如果接收到的讀取請求命中所述偏移單元地址時，確定對所述偏移存儲單元的讀取結果為設定值，并抑制所述讀取比較器的輸出。

在上述方案中，可選的是，如果所述單元電壓大于校驗參考電壓，且小于讀取參考電壓，則確定所述存儲單元為偏移存儲單元；

如果所述單元電壓小于校驗參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲單元為擦除存儲單元；

如果所述單元電壓大于校驗參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲單元為編程存儲單元。

在上述方案中，可選的是，所述設定值為“1”。

在上述方案中，可選的是，讀取比較器的輸入端分別與存儲單元的漏極和讀取參考存儲單元的漏極相連，校驗比較器的輸入端分別與存儲單元的漏極和校驗參考存儲單元的漏極相連，

其中，存儲單元的漏極與第一電阻相連，第一電阻的另一端與電源相連，存儲單元的源極接地；

讀取參考單元的漏極與第二電阻相連，第二電阻的另一端與電源相連，讀取參考單元的源極接地；

校驗參考單元的漏極與第三電阻相連，第三電阻的另一端與電源相連，校驗參考單元的源極接地。

第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種非易失性存儲器的數(shù)據(jù)讀取方法，采用本發(fā)明第一方面提供的非易失性存儲器的數(shù)據(jù)讀取裝置來執(zhí)行，該方法包括：

根據(jù)接收到的讀取請求，讀取存儲單元的單元電壓；

通過讀取比較器將所述單元電壓與讀取參考電壓進行比較，以輸出讀取結果；

通過校驗比較器將所述單元電壓與校驗參考電壓進行比較，以輸出校驗結果；

如果根據(jù)讀取結果和校驗結果，在確定單元電壓高于設定門限值時，確定存儲單元為偏移存儲單元，則通過偏移地址記錄單元記錄所述偏移存儲單元的偏移單元地址；

如果接收到的讀取請求命中所述偏移單元地址時，通過讀取糾正單元確定 對所述偏移存儲單元的讀取結果為設定值。

在上述方案中，可選的是，如果所述單元電壓大于校驗參考電壓，且小于讀取參考電壓，則確定所述存儲單元為偏移存儲單元；

如果所述單元電壓小于校驗參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲單元為擦除存儲單元；

如果所述單元電壓小于校驗參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲單元為編程存儲單元。

在上述方案中，可選的是，所述設定值為“1”。