[發明專利]一種非易失性存儲器的數據讀取裝置及方法

在審

• 申請號: 201610574359.9
• 申請日: 2016-07-19
• 公開（公告）號: CN107633865A
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發明（設計）人: 薛子恒;劉奎偉;潘榮華
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/06;G11C16/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆,胡彬

1.一種非易失性存儲器的數據讀取裝置，其特征在于，包括：

讀取比較器，所述讀取比較器的輸入端與讀取參考電壓和存儲單元的輸出端相連，用于根據接收到的讀取請求，將所述存儲單元的單元電壓與讀取參考電壓進行比較，并輸出讀取結果；

校驗比較器，所述校驗比較器的輸入端與校驗參考電壓和存儲單元的輸出端相連，用于將所述存儲單元的單元電壓與校驗參考電壓進行比較，并輸出校驗結果；其中，所述校驗參考電壓小于所述讀取參考電壓；

偏移地址記錄單元，與所述讀取比較器和所述校驗比較器相連，用于根據讀取結果和校驗結果，在確定單元電壓高于設定門限值時，確定所述存儲單元為偏移存儲單元，則記錄所述偏移存儲單元的偏移單元地址；

讀取糾正單元，與所述偏移地址記錄單元相連，用于如果接收到的讀取請求命中所述偏移單元地址時，確定對所述偏移存儲單元的讀取結果為設定值，并抑制所述讀取比較器的輸出。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述偏移地址記錄單元具體用于：

如果所述單元電壓大于校驗參考電壓，且小于讀取參考電壓，則確定所述存儲單元為偏移存儲單元；

如果所述單元電壓小于校驗參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲單元為擦除存儲單元；

如果所述單元電壓大于校驗參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲單元為編程存儲單元。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述設定值為“1”。

4.根據權利要求1-3任一所述的裝置，其特征在于，所述讀取比較器的輸入端分別與存儲單元的漏極和讀取參考存儲單元的漏極相連，所述校驗比較器的輸入端分別與存儲單元的漏極和校驗參考存儲單元的漏極相連，

其中，存儲單元的漏極與第一電阻相連，第一電阻的另一端與電源相連，存儲單元的源極接地；

讀取參考單元的漏極與第二電阻相連，第二電阻的另一端與電源相連，讀取參考單元的源極接地；

校驗參考單元的漏極與第三電阻相連，第三電阻的另一端與電源相連，校驗參考單元的源極接地。

5.一種非易失性存儲器的數據讀取方法，采用權利要求1-4任一所述的非易失性存儲器的數據讀取裝置來執行，其特征在于，所述方法包括：

根據接收到的讀取請求，讀取存儲單元的單元電壓；

通過讀取比較器將所述單元電壓與讀取參考電壓進行比較，以輸出讀取結果；

通過校驗比較器將所述單元電壓與校驗參考電壓進行比較，以輸出校驗結果；

如果根據讀取結果和校驗結果，在確定單元電壓高于設定門限值時，確定存儲單元為偏移存儲單元，則通過偏移地址記錄單元記錄所述偏移存儲單元的偏移單元地址；

如果接收到的讀取請求命中所述偏移單元地址時，通過讀取糾正單元確定對所述偏移存儲單元的讀取結果為設定值。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，根據讀取結果和校驗結果， 在確定單元電壓高于設定門限值時，確定存儲單元為偏移存儲單元包括：

如果所述單元電壓大于校驗參考電壓，且小于讀取參考電壓，則確定所述存儲單元為偏移存儲單元；

如果所述單元電壓小于校驗參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲單元為擦除存儲單元；

如果所述單元電壓小于校驗參考電壓和讀取參考電壓，則確定所述存儲單元為編程存儲單元。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述設定值為“1”。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述接收到的讀取請求具體為：存儲單元的柵極、讀取參考存儲單元的柵極及校驗存儲單元的柵極施加讀電壓。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述讀電壓大小為5V-8V。