[發(fā)明專利]靜電放電保護電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610561689.4
• 申請日: 2016-07-15
• 公開（公告）號: CN107622999B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 甘正浩;邵芳
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種靜電放電保護電路，所述靜電放電保護電路連接在一第一晶圓和一第二晶圓之間，所述第一晶圓包含有硅通孔，所述第二晶圓包含內(nèi)部芯片電路，其特征在于，包括：

第一單元，所述第一單元包括一第一阻變存儲器和一第一防靜電元件，所述第一阻變存儲器的第一端連接所述第一防靜電元件的第一端；

第二單元，所述第二單元包括一第二阻變存儲器和一第二防靜電元件，所述第二阻變存儲器的第一端連接所述第二防靜電元件的第一端，所述第二防靜電元件的第二端接地；

開關(guān)控制單元，所述開關(guān)控制單元的一端連接所述第一單元中第一防靜電元件的第二端，所述開關(guān)控制單元包括一PMOS管、一NMOS管、一控制電壓端、一外接電壓端，所述PMOS管的柵極和所述NMOS管的柵極相連，連接所述控制電壓端；所述PMOS管的源極與所述NMOS管的源極相連，連接所述第一防靜電元件；所述PMOS管的漏極接地，所述NMOS管的漏極連接所述外接電壓端；

所述第一單元中第一阻變存儲器的第二端和所述第二單元中第二阻變存儲器的第二端均與所述硅通孔和內(nèi)部芯片電路相連。

2.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于：在所述第一晶圓靜電放電過程中，所述開關(guān)控制單元控制所述第一阻變存儲器和所述第二阻變存儲器均處于低阻態(tài)，當所述第一晶圓帶靜電正電荷時，所述靜電正電荷通過所述第二單元釋放；當所述第一晶圓帶靜電負電荷時，所述靜電負電荷通過所述第一單元釋放。

3.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于：在所述第一晶圓靜電放電完成后，所述開關(guān)控制單元控制所述第一阻變存儲器和所述第二阻變存儲器處于高阻態(tài)，所述靜電放電保護電路與所述第一晶圓和第二晶圓斷開連接。

4.如權(quán)利要求1-3中任意一項所述的靜電放電保護電路，其特征在于：所述第一防靜電元件為一二極管、柵極接地NMOS管、雙極結(jié)型晶體管和可控硅中的任意一種。

5.如權(quán)利要求4所述的靜電放電保護電路，其特征在于：所述第一防靜電元件為一第一二極管，所述第一二極管的負極連接所述第一阻變存儲器的第一端，所述第一二極管的正極與所述開關(guān)控制單元相連。

6.如權(quán)利要求1-3中任意一項所述的靜電放電保護電路，其特征在于：所述第二防靜電元件為一二極管、柵極接地NMOS管、雙極結(jié)型晶體管和可控硅中的任意一種。

7.如權(quán)利要求6所述的靜電放電保護電路，其特征在于：所述第二防靜電元件為一第二二極管，所述第二二極管的正極連接所述第二阻變存儲器的第一端，所述第二二極管的負極接地。

8.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于：當所述第一晶圓帶靜電正電荷時，所述開關(guān)控制單元的控制電壓端的電壓為低電勢，所述靜電正電荷通過所述第二阻變存儲器、第二防靜電元件釋放。

9.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于：當所述第一晶圓帶靜電負電荷時，所述開關(guān)控制單元的控制電壓端的電壓為低電勢，所述靜電負電荷通過所述第一阻變存儲器、第一防靜電元件和所述PMOS管釋放。

10.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護電路，其特征在于：在所述第一晶圓靜電放電完成后，所述開關(guān)控制單元的控制電壓端的電壓為高電勢。