[發明專利]有源矩陣顯示基板的退火方法及裝置

有效

• 申請號: 201610557140.8
• 申請日: 2016-07-13
• 公開（公告）號: CN106129271B
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 張豪峰;王春盼;陳建榮;任思雨;蘇君海;李建華
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 章蘭芳

技術領域

本發明涉及顯示器制造技術領域，尤其涉及一種有源矩陣顯示基板的退火方法及裝置。

背景技術

隨著消費者對智能終端產品要求的不斷提高，智能顯示產品的電子線路日益復雜，周邊線路尺寸不斷減小，其集成度越來越高，LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低溫多晶硅)技術的采用使得TFT(Thin-Film Transistor，薄膜晶體管)面板允許的電子線路更為精細。而AMOLED(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，有源矩陣有機發光二極管)的應用，由于其由電流驅動的特性，必然要求采用一種具有高遷移率的面板作為有源層材料，LTPS幾乎成為目前唯一可以使用的相關技術。

為了克服被激光晶化后存在多晶硅含氫量低等缺陷較多的問題，LTPS采用高溫制程來氫化多晶硅，同時，LTPS采用CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，互補式金屬氧化物半導體)和NMOS(Negative Metal-Oxide Semiconductor，N型金屬氧化物半導體)架構；為調節閾值電壓，形成MOS結構和有效降低接觸電阻，甚至減少熱載流子效應。其中，采用離子注入的方法引入雜質離子，需要高溫制程來激活；而較大劑量的離子注入一方面使晶格損傷加重，快速熱退火的修復作用逐漸不足，對大劑量注入的離子的激活效率也逐漸降低，導致離子注入需要增大劑量，降低節拍同時又導致晶格損傷進一步增大。

提高活化溫度是現有的針對以上問題的比較好的解決辦法，1000℃以上甚至可以使非晶硅轉變為性能更為優良的多晶硅，但由于玻璃基板對高溫的耐受能力較差，一般以不高于600℃為較好的工藝溫度，而降低工藝溫度是顯示器件柔性化目前的主要需求。因此，急需一種不增加工藝溫度情況下提高顯示基板制程中的激活效率及晶格損傷修復效果的解決方案。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，提供一種有源矩陣顯示基板的退火技術方案，在無需增加工藝溫度的基礎上大幅度提高活化效率及修復晶格損傷，從而提高有源矩陣顯示基板退火效率及氫化效率。

為解決以上技術問題，一方面，本發明實施例提供一種有源矩陣顯示基板的退火裝置，包括：

加熱裝置，用于在有源矩陣顯示基板制程中提供合適的溫度；

設置在所述加熱裝置外側的螺旋狀交頻熱阻器，用于在有源矩陣顯示基板的退火處理過程中，在有源矩陣顯示基板的膜層結構上形成交變的磁場；

供電裝置，用于向所述螺旋狀交頻熱阻器提供電源。

優選地，所述螺旋狀交頻熱阻器包括：分別設置在有源矩陣顯示基板上表面和下表面的螺旋狀交頻電阻層；每層電阻層包括多個平行分布的螺旋狀的電阻器。

進一步地，所述退火裝置還包括：設置在所述螺旋狀交頻熱阻器外側的螺旋狀直流熱阻器，用于在有源矩陣顯示基板的退火處理過程中，提高或維持所述加熱裝置腔室所需的熱量；所述供電裝置，還用于向所述螺旋狀直流熱阻器提供電源。

優選地，所述螺旋狀直流熱阻器包括：圍繞所述加熱裝置的依次排列分布的多個螺旋狀的電阻器。

另一方面，本發明實施例還提供了一種有源矩陣顯示基板的退火方法，包括：

通過加熱裝置在有源矩陣顯示基板制程中提供合適的溫度；

在所述加熱裝置外側設置螺旋狀交頻熱阻器，并通過向所述螺旋狀交頻熱阻器提供電源，使得在有源矩陣顯示基板的退火處理過程中，在有源矩陣顯示基板的膜層結構上形成交變的磁場。

其中，優選地，在所述加熱裝置外側設置螺旋狀交頻熱阻器，具體包括：

分別在有源矩陣顯示基板上表面和下表面設置螺旋狀交頻電阻層；每層電阻層包括多個平行分布的螺旋狀的電阻器。

進一步地，所述的有源矩陣顯示基板的退火方法，還包括：

在所述螺旋狀交頻熱阻器外側設置螺旋狀直流熱阻器，通過向所述螺旋狀直流熱阻器提供電源，在有源矩陣顯示基板的退火處理過程中，提高或維持所述加熱裝置腔室所需的熱量。

優選地，所述螺旋狀直流熱阻器包括：圍繞所述加熱裝置的依次排列分布的多條螺旋狀的電阻器。