[發明專利]封裝基板制作方法

在審

• 申請號: 201610543293.7
• 申請日: 2016-07-12
• 公開（公告）號: CN107611035A
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 趙裕熒;曾信得;王音統
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司11279
• 代理人: 王正茂,叢芳

技術領域

本發明涉及一種封裝基板的制作方法，特別涉及制造封裝基板的薄膜電阻的方法。

背景技術

通過集成電路的工藝技術演進，集成電路內關于布線密度、傳輸速率以及防止信號干擾等，可提升整體集成電路效能的相關需求也隨之提高。其中，制造完成的集成電路必須通過后段工藝(back end of line，BEOL)以及封裝等工藝，將集成電路與實際應用的電子元件間，做電性連接。然而，隨著微縮工藝的進步，使得集成電路的體積不斷縮減，其中較高階的封裝工藝所制成的封裝體多半需應用集成電路載板(IC carrier)(又稱封裝基板)中介于集成電路與印刷電路板之間。概括來說，集成電路載板通過內部線路連接集成電路與印刷電路板，用以溝通集成電路與印刷電路板間的信號，并同時賦予保護電路與散熱等功能。由于來自集成電路與印刷電路板的信號需通過集成電路載板傳遞，因此，集成電路載板傳遞信號的品質，也對于集成電路整體的效能表現有實質的影響。

目前，常見的集成電路大致上通過集成電路載板的圖樣化電路與印刷電路板相連接。然而，設置在圖樣化電路間控制集成電路載板電性的薄膜電阻，肇因于后續工藝所使用的化學物質，容易讓薄膜電阻在制造其它集成電路載板的結構時，被化學物質侵蝕而造成已制成的薄膜電阻的電性特性改變，使得集成電路載板的薄膜電阻的一致性較差，進而影響后續信號的傳遞。由此可見，上述現有的結構，顯然仍存在不便與缺陷，而有待加以進一步改進。為了解決上述問題，相關領域莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的方式被發展完成。因此，如何能有效解決上述問題，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前相關領域亟需改進的目標。

發明內容

本發明的一技術方面是有關于一種封裝基板制作方法，其利用保護材料形成保護層覆蓋薄膜電阻遠離基板的表面，提供薄膜電阻較好的保護，讓薄膜電阻可在后續的工藝中減少或避免因受到化學物質侵蝕而損傷。如此一來，可減少或避免薄膜電阻的電性性質在制成后，又隨后續工藝進行而改變。進一步地，采用本方法所制造的封裝基板，其薄膜電阻電性性質可在制成后維持較佳的一致性，并讓包含保護層的封裝基板提供穩定的電性性質。

本發明提供一種封裝基板制作方法，包含提供載板，其中載板至少包含基板、設置在基板上的至少一個薄膜電阻以及設置在薄膜電阻上的多個第一圖樣化電路，其中第一圖樣化電路中任意兩個相鄰電路之間具有間隙，部分薄膜電阻延伸至第一圖樣化電路之間的至少一個間隙中；接下來在載板設置有薄膜電阻的一側形成第一保護材料，且第一保護材料至少覆蓋薄膜電阻延伸至間隙內的至少一部分；接下來薄化第一保護材料；以及移除部分第一保護材料，其中未經移除的第一保護材料形成第一保護層，并覆蓋薄膜電阻延伸至間隙內的部分。

在本發明一或多個實施方式中，上述的移除部分第一保護材料的步驟可包含選擇性地曝光第一保護材料；以及蝕刻第一保護材料，以將第一保護材料位于基板上方設置有薄膜電阻以外的區域的部分實質上完全移除。

在本發明一或多個實施方式中，上述的蝕刻第一保護材料的步驟可更進一步地從間隙中設置有薄膜電阻的區域內移除第一保護材料的一部分，以暴露薄膜電阻鄰接間隙的至少一部分。

在本發明一或多個實施方式中，上述的薄化第一保護材料的步驟，更進一步地使得第一保護材料相對基板具有第一高度，其中第一高度大于第一圖樣化電路相對基板的第二高度。

在本發明一或多個實施方式中，上述的薄化第一保護材料的步驟，更進一步地使得第一保護材料相對基板具有第三高度，其中第三高度與第一圖樣化電路相對基板的第二高度實質上相等。

在本發明一或多個實施方式中，上述的薄化第一保護材料的步驟，更進一步地使得第一保護材料相對基板具有第四高度，其中第四高度小于第一圖樣化電路相對基板的第二高度。

在本發明一或多個實施方式中，上述的形成第一保護材料的步驟還包含形成第一保護材料覆蓋第一圖樣化電路，其中移除部分第一保護材料的步驟還包含部分地移除第一保護材料位于第一圖樣化電路上的部分，其中未移除的第一保護材料覆蓋第一圖樣化電路的部分與覆蓋薄膜電阻位于間隙內的部分互相鄰接，以共同形成第一保護層。

在本發明一或多個實施方式中，上述的形成第一保護材料的步驟還包含形成第一保護材料覆蓋基板，其中移除部分第一保護材料的步驟還包含部分地移除第一保護材料位于基板上的部分，其中未移除的第一保護材料覆蓋基板的部分與覆蓋薄膜電阻位于間隙內的部分互相鄰接，以共同形成第一保護層。