[發(fā)明專(zhuān)利]封裝基板制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610543293.7 | 申請(qǐng)日： | 2016-07-12 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107611035A | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-01-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙裕熒;曾信得;王音統(tǒng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 欣興電子股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/48 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京中譽(yù)威圣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11279 | 代理人： | 王正茂,叢芳 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣桃園市*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 封裝 制作方法 | ||
1.一種封裝基板制作方法，其特征在于，包含：
提供載板，其中所述載板包含基板、設(shè)置在所述基板上的至少一個(gè)薄膜電阻以及設(shè)置在所述薄膜電阻上的多個(gè)第一圖樣化電路，其中所述多個(gè)第一圖樣化電路中任意兩個(gè)相鄰電路之間具有間隙，部分所述薄膜電阻延伸至該等第一圖樣化電路之間的至少一個(gè)間隙中；
在所述載板設(shè)置有所述薄膜電阻的一側(cè)形成第一保護(hù)材料，且所述第一保護(hù)材料至少覆蓋所述薄膜電阻延伸至所述間隙內(nèi)的至少一部分；
薄化所述第一保護(hù)材料；以及
移除部分所述第一保護(hù)材料，其中未經(jīng)移除的所述第一保護(hù)材料形成第一保護(hù)層，并覆蓋所述薄膜電阻延伸至所述間隙內(nèi)的部分。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝基板制作方法，其特征在于，所述移除部分第一保護(hù)材料的步驟包含：
選擇性地曝光所述第一保護(hù)材料；以及
蝕刻所述第一保護(hù)材料，以將所述第一保護(hù)材料位于所述基板上方設(shè)置有所述薄膜電阻以外的區(qū)域的部分實(shí)質(zhì)上完全移除。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝基板制作方法，其特征在于，所述蝕刻第一保護(hù)材料的步驟，更進(jìn)一步從該等間隙中設(shè)置有所述薄膜電阻的區(qū)域內(nèi)移除所述第一保護(hù)材料的一部分，以至少暴露所述薄膜電阻鄰接所述間隙的一部分。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝基板制作方法，其特征在于，所述薄化第一保護(hù)材料的步驟，更進(jìn)一步使所述第一保護(hù)材料相對(duì)所述基板具有第一高度，其中所述第一高度大于該等第一圖樣化電路相對(duì)所述基板的第二高度。
5.如權(quán)利要求1所述的封裝基板制作方法，其特征在于，所述薄化第一保護(hù)材料的步驟，更進(jìn)一步使所述第一保護(hù)材料相對(duì)所述基板具有第三高度，其中所述第三高度與該等第一圖樣化電路相對(duì)所述基板的第二高度實(shí)質(zhì)上相等。
6.如權(quán)利要求1所述的封裝基板制作方法，其特征在于，所述薄化第一保護(hù)材料的步驟，更進(jìn)一步使所述第一保護(hù)材料相對(duì)所述基板具有第四高度，其中所述第四高度實(shí)質(zhì)上小于該等第一圖樣化電路相對(duì)所述基板的第二高度。
7.如權(quán)利要求1所述的封裝基板制作方法，其特征在于，所述形成第一保護(hù)材料的步驟還包含，形成所述第一保護(hù)材料覆蓋該等第一圖樣化電路，其中所述移除部分第一保護(hù)材料的步驟還包含，部分移除所述第一保護(hù)材料位于該等第一圖樣化電路上的部分，其中未移除的所述第一保護(hù)材料覆蓋該等第一圖樣化電路的部分與覆蓋所述薄膜電阻位于所述間隙內(nèi)的部分互相鄰接，以共同形成所述第一保護(hù)層。
8.如權(quán)利要求1所述的封裝基板制作方法，其特征在于，所述形成第一保護(hù)材料的步驟還包含形成所述第一保護(hù)材料覆蓋所述基板，其中所述移除部分第一保護(hù)材料的步驟還包含部分移除所述第一保護(hù)材料位于所述基板上的部分，其中未移除的所述第一保護(hù)材料覆蓋所述基板的部分與覆蓋所述薄膜電阻位于所述間隙內(nèi)的部分互相鄰接，以共同形成所述第一保護(hù)層。
9.如權(quán)利要求1所述的封裝基板制作方法，其特征在于，還包含形成第二保護(hù)層，使得所述第二保護(hù)層覆蓋所述薄膜電阻暴露在所述第一保護(hù)層外的部分以及所述第一保護(hù)層。
10.如權(quán)利要求9所述的封裝基板制作方法，其特征在于，所述形成第二保護(hù)層的步驟更進(jìn)一步讓所述第二保護(hù)層覆蓋該等第一圖樣化電路以及所述基板其中至少一個(gè)。
11.如權(quán)利要求1所述的封裝基板制作方法，其特征在于，還包含在所述基板的所述第一側(cè)形成介電層，并覆蓋該等第一圖樣化電路、該等間隙以及所述第一保護(hù)層。
12.如權(quán)利要求11所述的封裝基板制作方法，其特征在于，還包含：
在所述介電層中對(duì)應(yīng)該等第一圖樣化電路中至少一個(gè)形成開(kāi)孔；以及
在所述開(kāi)孔中形成導(dǎo)電盲孔，以連接該等第一圖樣化電路中的對(duì)應(yīng)者至所述介電層遠(yuǎn)離所述基板的表面。
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