[發明專利]生長多晶硅柵過分刻蝕的P型MOS管結構的方法在審
| 申請號： | 201610538707.7 | 申請日： | 2016-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN106169505A | 公開（公告）日： | 2016-11-30 |
| 發明（設計）人： | 呂耀安 | 申請（專利權）人： | 無錫宏納科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 無錫華源專利商標事務所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聶漢欽 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市新區清源路*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生長 多晶 過分 刻蝕 mos 結構 方法 | ||
【說明書】：
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