[發明專利]生長多晶硅柵過分刻蝕的P型MOS管結構的方法在審
| 申請號： | 201610538707.7 | 申請日： | 2016-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN106169505A | 公開（公告）日： | 2016-11-30 |
| 發明（設計）人： | 呂耀安 | 申請（專利權）人： | 無錫宏納科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 無錫華源專利商標事務所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聶漢欽 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市新區清源路*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生長 多晶 過分 刻蝕 mos 結構 方法 | ||
【權利要求書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫宏納科技有限公司，未經無錫宏納科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610538707.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：半導體器件結構
- 下一篇：DDD MOS器件結構及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
