[發(fā)明專利]電子器件及制造其的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610533689.3
• 申請日: 2016-07-07
• 公開（公告）號: CN106803507B
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設計）人: 文珠榮
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京弘權知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

一種半導體器件可以包括：多個第一接觸，沿第一方向和與第一方向交叉的第二方向以預定距離布置；多個第二接觸，交替地布置在第一接觸之間，且沿第一方向和第二方向以預定距離布置；多個狗骨頭型導線，分別連接至所述多個第二接觸之中的沿第二方向布置的第二接觸，且具有凹部和凸部；以及多個刻蝕阻止圖案，分別形成在所述多個導線之上以與導線交疊。

相關申請的交叉引用

本申請要求2015年11月26日提交的申請?zhí)枮?0-2015-0166287、題為“電子器件及制造其的方法”的韓國專利申請的優(yōu)先權，其通過引用整體合并于此。

技術領域

本專利文件涉及存儲電路或器件及其在電子設備或系統(tǒng)中的應用。

背景技術

近來，隨著電子裝置趨向于小型化、低功耗、高性能和多功能等，本領域中已經(jīng)需要能夠在諸如計算機和便攜式通信設備等的各種電子裝置中儲存信息的半導體器件，且已經(jīng)對這些半導體器件進行了研究。這種半導體器件包括通過使用根據(jù)施加的電壓或電流而在不同阻態(tài)之間切換的特性來儲存數(shù)據(jù)的半導體器件，例如RRAM(電阻式隨機存取存儲器)、PRAM(相變隨機存取存儲器)、FRAM(鐵電隨機存取存儲器)、MRAM(磁性隨機存取存儲器)、電熔絲等。

發(fā)明內(nèi)容

本專利文件中所公開的技術包括存儲電路或器件及其在電子設備或系統(tǒng)中的應用以及包括能夠改善可變電阻元件的特性的半導體存儲器的電子設備的各種實施方式。

在一種實施方式中，半導體器件可以包括：多個第一接觸，沿第一方向和與第一方向交叉的第二方向以預定距離布置；多個第二接觸，交替地布置在第一接觸之間，且沿第一方向和第二方向以預定距離布置；多個狗骨頭型導線，分別連接至所述多個第二接觸之中的沿第二方向布置的第二接觸，且具有凹部和凸部；以及多個刻蝕阻止圖案，分別形成在所述多個導線之上以與導線交疊。

以上半導體器件的實施方式可以包括下面中的一種或更多種。

刻蝕阻止圖案的線寬等于或大于導線的線寬。導線的凹部位于與第一接觸相對應的位置處。導線的凸部位于沿第二方向布置的第二接觸之上?？涛g阻止圖案以具有凹部和凸部的狗骨頭型形成，且刻蝕阻止圖案的線寬等于或大于導線的線寬?？涛g阻止圖案具有凹部和凸部，且以反狗骨頭型來形成，反狗骨頭型的凸部和凹部分別與導線的凹部和凸部交疊?？涛g阻止圖案以線型形成，且刻蝕阻止圖案的線寬等于或大于導線的凸部的線寬。半導體器件還包括形成在導線的兩個側(cè)表面上的間隔物。半導體器件還包括以網(wǎng)格型布置以與第一接觸交疊的多個第三接觸。半導體器件還包括布置在第三接觸之上以與第三接觸接觸的數(shù)據(jù)儲存元件。數(shù)據(jù)儲存元件包括電容器或可變電阻元件。刻蝕阻止圖案包括絕緣材料。刻蝕阻止圖案包括氮化物材料。

在一種實施方式中，半導體器件可以包括：多個第一接觸，沿第一方向和與第一方向交叉的第二方向以預定距離布置；多個第二接觸，交替地布置在第一接觸之間，且沿第一方向和第二方向以預定距離布置；多個導線，分別連接至所述多個第二接觸之中的沿第二方向布置的第二接觸；以及多個刻蝕阻止圖案，分別形成在所述多個導線之上以與導線交疊，且刻蝕阻止圖案的線寬等于或大于導線的線寬。

以上半導體器件的實施方式可以包括下面中的一種或更多種。

刻蝕阻止圖案包括線圖案?？涛g阻止圖案以具有凹部和凸部的狗骨頭型來形成，且刻蝕阻止圖案的凸部位于與第一接觸相對應的位置處。半導體器件還包括形成在導線的兩個側(cè)表面上的間隔物。半導體器件還包括以網(wǎng)格型來布置而與第一接觸交疊的多個第三接觸。半導體器件還包括形成在第三接觸之上以與第三接觸接觸的數(shù)據(jù)儲存元件。數(shù)據(jù)儲存元件包括電容器或可變電阻元件。刻蝕阻止圖案包括絕緣材料?？涛g阻止圖案包括氮化物材料。