[發明專利]電子器件及制造其的方法

有效

• 申請號: 201610533689.3
• 申請日: 2016-07-07
• 公開（公告）號: CN106803507B
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 文珠榮
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

形成在襯底之上的第一層間電介質層和形成在第一層間電介質層之上的第二層間電介質層；

多個第一接觸，沿第一方向和與第一方向交叉的第二方向以預定距離布置在第一層間電介質層中；

多個第二接觸，布置在第一層間電介質層中以及布置在第一接觸之間，且沿第一方向和第二方向以預定距離布置；

多個第三接觸，布置在第一接觸之上，且布置在第二層間電介質層中；

多個狗骨頭型導線，分別連接至所述多個第二接觸之中的沿第二方向布置的第二接觸，以及設置在第二層間電介質層中且設置在沿第一方向的兩個相鄰第三接觸之間，所述多個狗骨頭型導線具有凹部和凸部；以及

多個刻蝕阻止圖案，分別形成在所述多個狗骨頭型導線之上以與導線交疊。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，刻蝕阻止圖案的線寬等于或大于導線的線寬。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其中，導線的凹部位于與第一接觸相對應的位置處。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中，導線的凸部位于沿第二方向布置的第二接觸之上。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其中，刻蝕阻止圖案以具有凹部和凸部的狗骨頭型來形成，且刻蝕阻止圖案的線寬等于或大于導線的線寬。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中，刻蝕阻止圖案具有凹部和凸部，且以反狗骨頭型來形成，所述反狗骨頭型的凸部和凹部分別與導線的凹部和凸部交疊。

7.如權利要求1所述的半導體器件，還包括形成在導線的兩個側表面上的間隔物。

8.如權利要求1所述的半導體器件，還包括以網格型布置而與第一接觸交疊的多個第三接觸。

9.如權利要求8所述的半導體器件，還包括布置在第三接觸之上以與第三接觸接觸的數據儲存元件。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其中，數據儲存元件包括電容器或可變電阻元件。

11.如權利要求1所述的半導體器件，其中，刻蝕阻止圖案包括絕緣材料。

12.如權利要求1所述的半導體器件，其中，刻蝕阻止圖案包括氮化物材料。

13.一種半導體器件，包括：

第一層間電介質層，在襯底之上；

多個第一接觸和多個第二接觸，垂直穿通第一層間電介質層，其中第一接觸沿第一方向和與第一方向交叉的第二方向以預定距離布置，并且第二接觸交替地布置在第一接觸之間；

第二層間電介質層，在第一層間電介質層、第一接觸和第二接觸之上；

多個開口，垂直穿透第二層間電介質層，以與第二接觸交疊并暴露第二接觸的頂表面，所述開口沿第二方向延伸；

多個狗骨頭型導線，完全填充于所述開口中，使得第二層間電介質層和導線的頂表面是平的；以及

多個刻蝕阻止圖案，形成在第二層間電介質層上以與導線交疊，所述刻蝕阻止圖案沿第二方向延伸成線形，

其中，開口和導線具有凹部和凸部。

14.如權利要求13所述的半導體器件，其中，刻蝕阻止圖案的線寬等于或大于導線的線寬。

15.如權利要求13所述的半導體器件，其中，刻蝕阻止圖案以具有凹部和凸部的狗骨頭型來形成，且刻蝕阻止圖案的線寬等于或大于導線的線寬。

16.如權利要求13所述的半導體器件，其中，刻蝕阻止圖案具有凹部和凸部，且以反狗骨頭型來形成，所述反狗骨頭型的凸部和凹部分別與導線的凹部和凸部交疊。