[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201610531756.8
• 申請日: 2016-07-07
• 公開（公告）號: CN107591330B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L21/265
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一晶體管區和第二晶體管區，所述基底的第一晶體管區和第二晶體管區包括襯底和位于襯底上的鰭部；

在所述第一晶體管區襯底上形成第一犧牲層，所述第一犧牲層的表面低于所述鰭部頂部表面；

對所述第一犧牲層進行第一離子注入；

進行第一離子注入之后，去除所述第一犧牲層；

去除所述第一犧牲層之后，進行退火處理。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層為抗反射涂層、氧化硅層或氮化硅層。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，對所述第一晶體管區第一犧牲層進行離子注入之前，還包括：在所述第二晶體管區形成第二犧牲層，所述第二犧牲層覆蓋所述第二晶體管區鰭部頂部和側壁。

4.如權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層與第二犧牲層的材料相同。

5.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述第一犧牲層和第二犧牲層的步驟包括：

在所述第一晶體管區和第二晶體管區襯底上形成初始犧牲層，所述初始犧牲層表面高于所述鰭部頂部表面；

去除第一晶體管區部分厚度的初始犧牲層，在第一晶體管區形成第一犧牲層，在第二晶體管區形成第二犧牲層。

6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除第一晶體管區部分厚度的初始犧牲層的工藝包括：干法刻蝕或濕法刻蝕。

7.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成初始犧牲層的工藝包括：旋涂工藝或流體化學氣相沉積工藝。

8.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除所述第一犧牲層的工藝包括：灰化工藝、干法刻蝕或濕法刻蝕。

9.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除所述第一犧牲層之后，還包括：

在第一晶體管區和第二晶體管區襯底上形成隔離結構，所述隔離結構表面低于所述鰭部頂部表面，且所述隔離結構的厚度大于或等于所述第一犧牲層的厚度。

10.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲的厚度與所述隔離結構的厚度相等。

11.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二晶體管區用于形成PMOS晶體管；

還包括：對所述第二晶體管區隔離結構進行第二離子注入。

12.如權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一晶體管區用于形成NMOS晶體管。

13.如權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入的注入離子包括：硼離子或氟化硼離子。

14.如權利要求13所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入的工藝參數包括：注入劑量為5.0E12atoms/cm²～1.0E15atoms/cm²；注入能量為5KeV～50KeV。

15.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在去除第一犧牲層之后，形成所述隔離結構之前，還包括：

在所述第二晶體管區襯底上形成第三犧牲層，所述第三犧牲層表面低于所述鰭部頂部表面；對所述第三犧牲層進行第二離子注入；

進行第二離子注入之后，去除所述第三犧牲層；去除所述第三犧牲層之后，進行退火處理。