[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610531703.6
• 申請日: 2016-07-07
• 公開（公告）號: CN107591364B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周飛
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括：襯底和位于襯底上相鄰的第一鰭部和第二鰭部；

在所述襯底上形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)覆蓋所述第一鰭部和第二鰭部側(cè)壁，所述隔離結(jié)構(gòu)的表面高于或齊平于所述第一鰭部和第二鰭部頂部表面；

對所述第一鰭部和第二鰭部之間的隔離結(jié)構(gòu)進行離子注入，形成隔離層；

在所述隔離層上形成保護層；

以所述保護層為掩膜，對所述隔離結(jié)構(gòu)進行刻蝕，使所述隔離結(jié)構(gòu)暴露出第一鰭部和第二鰭部部分側(cè)壁，對所述隔離結(jié)構(gòu)進行刻蝕的過程中，所述隔離層的刻蝕速率低于所述隔離結(jié)構(gòu)的刻蝕速率；

對所述保護層進行刻蝕，使所述保護層表面與所述第一鰭部和第二鰭部頂部表面齊平或使所述保護層表面略高于第一鰭部和第二鰭部頂部表面；

對所述保護層進行刻蝕后，在所述第一鰭部鄰近所述隔離層的區(qū)域以及所述第二鰭部鄰近所述隔離層的區(qū)域上形成偽柵極結(jié)構(gòu)，所形成的偽柵結(jié)構(gòu)覆蓋所述第一鰭部和第二鰭部邊緣。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述離子注入過程中注入的離子包括：硅離子、碳離子或鍺離子。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述離子注入的工藝參數(shù)包括：注入劑量為1.0E13 atoms/cm²～1.0E16atoms/cm²；注入能量為1eV～30eV。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成隔離結(jié)構(gòu)的工藝包括：流體化學(xué)氣相沉積工藝。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述第一鰭部和第二鰭部之間的隔離結(jié)構(gòu)進行離子注入的步驟包括：

在所述第一鰭部頂部、第二鰭部頂部和所述隔離結(jié)構(gòu)上形成初始圖形層；

去除所述第一鰭部和第二鰭部之間隔離結(jié)構(gòu)上的初始圖形層，形成圖形層；以所述圖形層為掩膜進行離子注入。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述圖形層的材料為氮化硅或氮氧化硅。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，離子注入之后，所述在所述隔離層上形成保護層包括：

在所述圖形層和所述隔離層上形成初始保護層；

去除所述圖形層和所述圖形層上的初始保護層，保留所述隔離層上的初始保護層，形成保護層。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述保護層的材料與所述圖形層的材料不同。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述保護層的材料為氧化硅。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成初始保護層的工藝包括：高密度等離子體沉積工藝。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成初始保護層的工藝參數(shù)包括：反應(yīng)氣體包括：硅烷或正硅酸乙酯、氧氣以及氬氣或氫氣；反應(yīng)溫度為300℃～500℃。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述偽柵極結(jié)構(gòu)后，還包括：

形成橫跨所述第一鰭部的第一柵極結(jié)構(gòu)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)覆蓋所述第一鰭部側(cè)壁和頂部表面；

形成橫跨所述第二鰭部的第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)覆蓋所述第二鰭部側(cè)壁和頂部表面；

在所述第一柵極結(jié)構(gòu)和偽柵極結(jié)構(gòu)之間的第一鰭部中形成第一源漏摻雜區(qū)；

在所述第二柵極結(jié)構(gòu)和偽柵極結(jié)構(gòu)之間的第二鰭部中形成第二源漏摻雜區(qū)。