[發(fā)明專利]一種沉淀法制備Sm(OH)3/CdS納米復(fù)合物的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610530742.4 | 申請日: | 2016-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN106219595B | 公開(公告)日: | 2017-11-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 殷立雄;劉長青;李慧敏;黃劍鋒;柴思敏;孔新剛;張東東;張浩 | 申請(專利權(quán))人: | 陜西科技大學(xué) |
| 主分類號: | C01G11/02 | 分類號: | C01G11/02 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司61200 | 代理人: | 徐文權(quán) |
| 地址: | 710021 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 沉淀 法制 sm oh cds 納米 復(fù)合物 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及納米半導(dǎo)體復(fù)合材料制備領(lǐng)域,特別涉及一種制備Sm(OH)3/CdS納米復(fù)合物的方法。
背景技術(shù)
氫氧化釤(Sm(OH)3)作為一種有前景的鑭系功能材料,在催化材料及光電子器件中有一定的應(yīng)用潛力。Sm(OH)3是一種具有4f電子結(jié)構(gòu)氫氧化物,當(dāng)溫度從140℃升高到180℃時(shí)純的六方相Sm(OH)3此時(shí)禁帶寬度為3.89-3.97eV,Sm(OH)3具有優(yōu)越的電學(xué)、光學(xué)和磁學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于陶瓷電容器、汽車尾氣處理、催化劑和醫(yī)學(xué)等方面;
CdS晶體分為兩種:α-型,檸檬黃色粉末,密度3.91~4.15;β-型,橘紅色粉末,密度4.48~4.51。自然界中有硫鎘礦,六角晶體,密度4.82。能在氮?dú)庵猩A。微溶于水和乙醇,溶于酸,極易溶于氨水。高純度的CdS是良好的半導(dǎo)體。禁帶寬度Eg=2.42ev,硫化鎘光導(dǎo)體,突出的優(yōu)點(diǎn)是靜電潛像電位差大,復(fù)印出的圖像反差大。因表層加有絕緣膜。
因?yàn)榫哂屑{米材料共有的小尺寸效應(yīng)和表面效應(yīng),CdS在光吸收、光催化等方面都表現(xiàn)出了特殊的效應(yīng),在、光催化材料、電極材料以及太陽能電池材料等方面都已得到廣泛的研究和應(yīng)用。
故制備納米復(fù)合物Sm(OH)3/CdS具有很大的應(yīng)用價(jià)值。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種沉淀法制備Sm(OH)3/CdS納米復(fù)合物的方法,該方法中反應(yīng)介質(zhì)為水溶液,所得產(chǎn)物的納米粒徑分布較窄、分散性好、成本較低,易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種沉淀法制備Sm(OH)3/CdS納米復(fù)合物的方法,包括以下步驟:
1)將分析純Sm(NO)3·6H2O溶于蒸餾水中,制得濃度為0.015-0.050mol/L溶液A;
2)調(diào)節(jié)溶液A的pH至7~13,充分?jǐn)嚢?~4h制得均勻溶液B;
3)將溶液B陳化后自然冷卻至室溫;
4)產(chǎn)物依次用蒸餾水和無水乙醇離心洗滌4~6次,收集的產(chǎn)物干燥后制得白色粉末C;
5)將分析純檸檬酸和白色粉末C以(0.2~0.6):1的摩爾比在蒸餾水中完全溶解,在30~80℃磁力攪拌1~4h制得溶液D;溶液D中白色粉末C的濃度為0.01-0.04mol/L;
6)將分析純CdCl2完全溶于蒸餾水中,制得濃度為0.02-0.05mol/L的溶液E;
7)將E溶液緩慢加入到D溶液中,得到混合溶液,并在30~80℃磁力攪拌1~4h,制得前驅(qū)液;其中,D溶液中白色粉末C與E溶液中CdCl2的摩爾比為:0.5:1-3:1;
8)將分析純Na2S·9H2O完全溶于蒸餾水中,制得濃度為0.01-0.05mol/L的溶液F;
9)將溶液F加入到前驅(qū)液中,溶液F中Na2S·9H2O與前驅(qū)液中CdCl2的摩爾比為0.5:1-2:1;產(chǎn)物依次用蒸餾水和無水乙醇離心洗滌4~6次,收集的產(chǎn)物干燥后冷卻到室溫得到產(chǎn)物Sm(OH)3/CdS納米復(fù)合物。
進(jìn)一步的,步驟2)中采用分析純氨水調(diào)節(jié)反應(yīng)體系的pH。
進(jìn)一步的,步驟3)中溶液B在50~100℃水浴中陳化1~4h。
進(jìn)一步的,步驟4)中產(chǎn)物在30~100℃條件下真空干燥0.5~54h。
進(jìn)一步的,步驟9)中產(chǎn)物利用電熱真空干燥箱于30~100℃條件下真空干燥1~4h。
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