[發明專利]線路重分布結構的制造方法與線路重分布結構單元有效
| 申請號: | 201610530280.6 | 申請日: | 2016-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN107591381B | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發明(設計)人: | 陳裕華;柯正達 | 申請(專利權)人: | 欣興電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;叢芳 |
| 地址: | 中國臺灣桃園市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 線路 分布 結構 制造 方法 單元 | ||
本發明公開了一種線路重分布結構的制造方法與線路重分布結構單元,其制造方法包含以下步驟,形成第一介電層于承載基板上。形成多個導電盲孔于第一介電層中。形成第一線路重分布層于第一介電層上。形成第二介電層于第一介電層。形成多個第一、第二孔洞于第二介電層中,并形成溝渠于第二介電層中,以將第二介電層切分為第一、第二部分,其中第一線路重分布層的第一部分與第一孔洞位于第二介電層的第一部分中,第一線路重分布層的第二部分與第二孔洞位于第二介電層的第二部分中。形成多個導電盲孔于第一、第二孔洞中,并形成第二線路重分布層于第二介電層上。此制造方法能避免整體結構發生翹曲,進而提升結構穩定度。
技術領域
本發明涉及一種線路重分布結構的制造方法與線路重分布結構單元。
背景技術
隨著電子產業的蓬勃發展,電子產品亦逐漸進入多功能、高性能的研發方向。為滿足半導體元件高集成度(Integration)以及微型化(Miniaturization)的要求,線路重分布結構的各項要求亦越來越高。舉例來說,線路重分布結構中的線路的線寬與線距(Pitch)要求越來越小,線路重分布結構的整體厚度也希望越小越好。
為了進一步改善線路重分布結構的各項特性,相關領域莫不費盡心思開發。如何能提供一種具有較佳特性的線路重分布結構,實屬當前重要研發課題之一,亦成為當前相關領域亟需改進的目標。
發明內容
本發明的一技術方面是在提供一種線路重分布結構的制造方法,以提升線路重分布結構的結構穩定度、布線密度并降低線路重分布結構的厚度與制造成本。
根據本發明一實施方式,一種線路重分布結構的制造方法包含以下步驟。首先,形成第一介電層于承載基板上。然后,形成多個第一孔洞與多個第二孔洞于第一介電層中。接著,分別形成多個第一導電盲孔與多個第二導電盲孔于第一孔洞與第二孔洞中,并形成第一線路重分布層于第一介電層上,其中第一線路重分布層的第一部分電性連接第一導電盲孔,第一線路重分布層的第二部分電性連接第二導電盲孔。然后,形成第二介電層于第一介電層與第一線路重分布層上。接著,形成多個第三孔洞與多個第四孔洞于第二介電層中,以分別裸露第一線路重分布層的第一部分與第二部分,并形成溝渠于第二介電層中,以裸露第一介電層,且將第二介電層切分為第一部分與第二部分,其中第一線路重分布層的第一部分與第三孔洞位于第二介電層的第一部分中,第一線路重分布層的第二部分與第四孔洞位于第二介電層的第二部分中。然后,分別形成多個第三導電盲孔與多個第四導電盲孔于第三孔洞與第四孔洞中,并形成第二線路重分布層的第一部分于第二介電層的第一部分上與形成第二線路重分布層的第二部分于第二介電層的第二部分上,其中第二線路重分布層的第一部分電性連接第三導電盲孔,第二線路重分布層的第二部分電性連接第四導電盲孔。
在本發明的一個或多個實施方式中,線路重分布結構的制造方法還包含以下步驟。首先,形成封裝層于第二介電層與第二線路重分布層上,且形成封裝層于溝渠中。接著,形成多個第五孔洞與多個第六孔洞于封裝層中,以分別裸露第二線路重分布層的第一部分與第二部分。然后,分別形成多個第五導電盲孔與多個第六導電盲孔于第五孔洞與第六孔洞中,并形成多個第一導電凸塊與多個第二導電凸塊于封裝層上,其中第一導電凸塊電性連接第五導電盲孔,第二導電凸塊電性連接第六導電盲孔。接著,移除承載基板。最后,切割第一介電層與在溝渠中的封裝層,以形成第一線路重分布結構單元與第二線路重分布結構單元,其中第一線路重分布結構單元包含第一介電層的第一部分、第一導電盲孔、第一線路重分布層的第一部分、第二介電層的第一部分、第三導電盲孔、第二線路重分布層的第一部分、第五導電盲孔、第一導電凸塊與封裝層的第一部分,第二線路重分布結構單元包含第一介電層的第二部分、第二導電盲孔、第一線路重分布層的第二部分、第二介電層的第二部分、第四導電盲孔、第二線路重分布層的第二部分、第六導電盲孔、第二導電凸塊與封裝層的第二部分。
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