[發(fā)明專利]電子設(shè)備的框架及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610530241.6
• 申請(qǐng)日: 2016-07-07
• 公開（公告）號(hào): CN107592770A
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邸希劍;趙玉奎;金成輝;趙鳴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津三星通信技術(shù)研究有限公司;三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H05K7/18
• 分類號(hào): H05K7/18;H01Q1/44
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 王兆賡,張川緒

1.一種電子設(shè)備的框架，其特征在于，包括：金屬框和注塑體，

其中，金屬框上具有縫隙，注塑體填充所述縫隙，

金屬框的與注塑體相結(jié)合的面上形成有孔，注塑體具有與所述孔對(duì)應(yīng)的凸起，所述凸起填充所述孔。

2.如權(quán)利要求1所述的框架，其特征在于，所述金屬框的與注塑體相結(jié)合的面和所述孔的內(nèi)表面均設(shè)有凹坑，所述凹坑被注塑體填充。

3.如權(quán)利要求1或2所述的框架，其特征在于，所述縫隙沿金屬框的外側(cè)至內(nèi)側(cè)的方向貫通所述金屬框的一個(gè)側(cè)邊。

4.如權(quán)利要求3所述的框架，其特征在于，所述縫隙的數(shù)量至少為一個(gè)。

5.如權(quán)利要求1所述的框架，其特征在于，每個(gè)金屬框的與注塑體相結(jié)合的面上的孔的數(shù)量為20個(gè)至30個(gè)。

6.如權(quán)利要求1或2所述的框架，其特征在于，所述孔的軸向與所述金屬框的與注塑體相結(jié)合的面的夾角為40度至50度。

7.如權(quán)利要求1或2所述的框架，其特征在于，所述孔為通孔和/或盲孔。

8.如權(quán)利要求1或2所述的框架，其特征在于，所述孔的深度為0.6毫米至1.0毫米。

9.如權(quán)利要求1或2所述的框架，其特征在于，所述孔為毫米級(jí)孔。

10.如權(quán)利要求9所述的框架，其特征在于，所述孔的直徑為0.3毫米至0.7毫米。

11.如權(quán)利要求2所述的框架，其特征在于，所述凹坑為納米級(jí)凹坑。

12.一種電子設(shè)備的框架的制造方法，其特征在于，包括：

形成金屬框；

在金屬框上形成縫隙；

在所述金屬框的形成縫隙的截面上形成孔；

在所述縫隙進(jìn)行注塑，形成注塑體，從而所述注塑體填充所述縫隙并具有與所述孔對(duì)應(yīng)的凸起，所述凸起填充所述孔。

13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括：

在所述縫隙進(jìn)行注塑之前，在所述金屬框的形成縫隙的截面和所述孔的內(nèi)表面上形成凹坑，從而在形成注塑體后，所述凹坑被注塑體填充。

14.如權(quán)利要求12或13所述的制造方法，其特征在于，所述孔為毫米級(jí)孔。

15.如權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述凹坑為納米級(jí)凹坑。