[發(fā)明專利]低損耗同軸射頻電纜及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610522206.X | 申請(qǐng)日: | 2016-07-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106098196B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 米春海;付利梅;吳天鳳;姜國(guó)慶;朱文玲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蕪湖航天特種電纜廠股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01B7/17 | 分類號(hào): | H01B7/17;H01B7/29;H01B11/18;H01B13/22;H01B13/26 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 241000 安徽省*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 損耗 同軸 射頻 電纜 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及射頻電纜,具體地,涉及一種低損耗同軸射頻電纜及其制備方法。
背景技術(shù)
射頻電纜是傳輸射頻范圍內(nèi)電磁能量的電纜,射頻電纜是各種無(wú)線電通信系統(tǒng)及電子設(shè)備中不可缺少的元件,在無(wú)線通信與廣播、電視、雷達(dá)、導(dǎo)航、計(jì)算機(jī)及儀表等方面廣泛的應(yīng)用。射頻電纜一般具有以下特點(diǎn):可以傳輸較寬的頻帶、對(duì)外界干擾的防衛(wèi)度高、天線效應(yīng)小,輻射損耗小和結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,安裝便利,比較經(jīng)濟(jì)。其中,同軸射頻電纜是最常用的結(jié)構(gòu)型式,由于其內(nèi)外導(dǎo)體處于同心位置,電磁能量局限在內(nèi)外導(dǎo)體之間的介質(zhì)內(nèi)傳播,因此具有衰減小,屏蔽性能高,使用頻帶寬及性能穩(wěn)定等顯著優(yōu)點(diǎn);通常用來(lái)傳輸500千赫到18千兆赫的射頻能量。
雖然,同軸射頻電纜具有上述的特點(diǎn),但是在高溫的條件下進(jìn)行作業(yè),會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)線外的保護(hù)層老化,進(jìn)而影響了同軸射頻電纜的信號(hào)的傳送。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種低損耗同軸射頻電纜及其制備方法,該低損耗同軸射頻電纜及其制備方法具有優(yōu)異的耐高溫性能、力學(xué)性能和抗輻射的性能。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種低損耗同軸射頻電纜的制備方法,該制備方法包括:
1)將聚四氟乙烯薄膜繞包于導(dǎo)線的外部以形成繞包層;
2)將鍍銀芳綸絲編織于繞包層的外部以形成編織層;
3)將聚氨酯組合物熔融、于編織層的外部成型以形成聚氨酯護(hù)套;
其中,導(dǎo)線為鍍銀銅絞線,聚氨酯組合物含有聚氨酯、聚乙二醇、聚丙烯酰胺、油頁(yè)巖灰、硼酸鋅、氧化鑭、硫酸鈣晶須、二茂鐵和杯[6]芳烴。
本發(fā)明還提供了一種低損耗同軸射頻電纜,該低損耗同軸射頻電纜通過(guò)上述的方法制備而得。
通過(guò)上述技術(shù)方案,本發(fā)明提供的低損耗同軸射頻電纜的制備方法首先將聚四氟乙烯薄膜繞包于導(dǎo)線的外部以形成繞包層;接著,將鍍銀芳綸絲編織于繞包層的外部以形成編織層;最后,將聚氨酯組合物熔融、于編織層的外部成型形成聚氨酯護(hù)套以制得低損耗同軸射頻電纜。通過(guò)繞包層、編織層和聚氨酯護(hù)套的協(xié)同作用,使得該低損耗同軸射頻電纜具有優(yōu)異的耐高溫性能、力學(xué)性能和抗輻射的性能。同時(shí),該方法工序簡(jiǎn)單,原料易得,便于推廣。
本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說(shuō)明。
附圖說(shuō)明
附圖是用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分,與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本發(fā)明,但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:
圖1是本發(fā)明提供的低損耗同軸射頻電纜的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)記
1、導(dǎo)線2、繞包層
3、第一編織層4、第二編織層
5、聚氨酯護(hù)套
具體實(shí)施方式
以下對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解的是,此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明,并不用于限制本發(fā)明。
本發(fā)明提供了一種低損耗同軸射頻電纜的制備方法,該制備方法包括:
1)將聚四氟乙烯薄膜繞包于導(dǎo)線1的外部以形成繞包層2;
2)將鍍銀芳綸絲編織于繞包層2的外部以形成編織層;
3)將聚氨酯組合物熔融、于編織層的外部成型以形成聚氨酯護(hù)套5;
其中,導(dǎo)線1為鍍銀銅絞線,聚氨酯組合物含有聚氨酯、聚乙二醇、聚丙烯酰胺、油頁(yè)巖灰、硼酸鋅、氧化鑭、硫酸鈣晶須、二茂鐵和杯[6]芳烴。
優(yōu)選地,在步驟1)中,聚四氟乙烯薄膜的密度為1.6-1.8g/cm2。
優(yōu)選地,在步驟1)中,繞包層2的厚度為0.25-0.35mm;。
優(yōu)選地,在步驟2)中,編織層由內(nèi)而外依次由第一編織層3和第二編織層4組成,并且,第一編織層3和第二編織層4的厚度各自獨(dú)立為0.01-0.03mm;
優(yōu)選地,鍍銀芳綸絲的表面的鍍銀層的厚度為1-2μm;
更優(yōu)選地,聚氨酯護(hù)套5的厚度為0.4-0.7mm。
優(yōu)選地,在步驟3)中,相對(duì)于100重量份的聚氨酯,聚乙二醇的含量為55-64重量份,聚丙烯酰胺的含量為22-34重量份,油頁(yè)巖灰的含量為15-27重量份,硼酸鋅的含量為7-9重量份,氧化鑭的含量為1.5-3重量份,硫酸鈣晶須的含量為22-27重量份,二茂鐵的含量為3-8重量份,杯[6]芳烴的含量為14-19重量份。
優(yōu)選地,在步驟3)中,熔融至少要滿足以下條件:熔融溫度為215-220℃,熔融時(shí)間為3-5h。
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