[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201610518854.8
• 申請日: 2016-07-04
• 公開（公告）號: CN107579000B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括相鄰的第一區域和第二區域，所述基底包括：襯底和位于所述第一區域襯底上的第一鰭部，所述第一鰭部包括相對的第一側和第二側，所述第一側朝向所述第二區域；

在所述第二區域基底上形成圖形層，所述圖形層全部覆蓋所述第二區域或暴露出鄰近第一區域的部分第二區域；

以所述圖形層為掩膜，僅向所述第一鰭部一側側壁進行離子注入，在所述第一鰭部底部注入摻雜離子，所述離子注入的步驟包括：

當所述圖形層暴露出鄰近第一區域的部分所述第二區域時，僅向所述第一鰭部第一側側壁進行離子注入；

當所述圖形層全部覆蓋所述第二區域時，僅向所述第一鰭部第二側側壁進行離子注入；

對所述第一鰭部進行退火處理，使所述摻雜離子在所述第一鰭部中擴散，退火溫度為950℃~1150℃。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一鰭部底部為所述第一鰭部與所述襯底的接觸處。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述基底還包括：位于所述鰭部之間的襯底上的隔離結構，所述隔離結構表面低于所述鰭部頂部表面；

所述第一鰭部底部為所述第一鰭部與所述隔離結構表面的接觸處。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述基底還包括：位于第二區域襯底上的第二鰭部；所述第二鰭部包括相對的第三側和第四側，所述第三側朝向第一鰭部。

5.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述圖形層覆蓋所述第二鰭部頂部和側壁表面。

6.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述圖形層覆蓋所述第二鰭部頂部和第四側側壁，暴露出鄰近第一鰭部的第二鰭部第三側側壁。

7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述基底還包括：第三區域，所述第三區域和第二區域分別位于所述第一區域兩側。

8.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述基底還包括：位于第三區域襯底上的第三鰭部；所述圖形層還覆蓋所述第三鰭部頂部和側壁。

9.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，相鄰的第一鰭部和第二鰭部之間的距離為50nm~60nm。

10.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，第二區域襯底上具有半導體器件。

11.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述圖形層的厚度為1000埃~1500埃。

12.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述離子注入的注入角度為15°~20°，所述注入角度為離子注入方向與襯底表面法線之間的夾角。

13.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，對所述第一鰭部進行離子注入的工藝參數包括：注入劑量為1.0E14 atoms/cm³~2.0E15 atoms/cm³；注入能量為2KeV~8KeV。

14.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一區域用于形成NMOS晶體管；所述第二區域用于形成PMOS晶體管；

或者，所述第一區域用于形成PMOS晶體管；所述第二區域用于形成NMOS晶體管。