[發明專利]一種N型雙面電池的制造方法

有效

• 申請號: 201610514814.6
• 申請日: 2016-06-28
• 公開（公告）號: CN106129173B
• 公開（公告）日: 2017-09-01
• 發明（設計）人: 楊潔;福克斯·斯蒂芬;蔣方丹;金浩;黃紀德;王東;王金藝
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

1.一種N型雙面電池的制造方法，其特征在于，包括：

對硅片進行清洗和表面制絨；

在所述硅片的正面和背面進行硼擴散，形成正面硼擴層和背面硼擴層，所述正面硼擴層的表面為硼硅玻璃；

在所述硅片的正面制備SiN_x掩膜；

刻蝕掉全部的所述SiN_x掩膜和所述背面硼擴層；

利用所述硼硅玻璃對所述硅片正面形成保護，在所述硅片的背面進行磷擴散，形成背面磷擴層，所述背面磷擴層的表面為磷硅玻璃；

刻蝕掉所述硼硅玻璃和所述磷硅玻璃；

在所述硅片的正面和背面制備SiN_x鈍化膜，并分別制備前電極和背電極。

2.根據權利要求1所述的N型雙面電池的制造方法，其特征在于，

所述刻蝕掉所述SiN_x掩膜和所述背面硼擴層包括：

利用刻蝕液的濃度、刻蝕速率以及所述SiN_x掩膜的厚度，計算出刻蝕時間，然后根據所述刻蝕時間，刻蝕掉所述SiN_x掩膜和所述背面硼擴層。

3.根據權利要求1所述的N型雙面電池的制造方法，其特征在于，

所述刻蝕掉所述SiN_x掩膜和所述背面硼擴層為：

利用濃度為5％至10％的HF溶液對折射率為2.1且厚度為30nm至40nm的SiN_x掩膜刻蝕5分鐘至10分鐘。

4.根據權利要求1所述的N型雙面電池的制造方法，其特征在于，

所述刻蝕掉所述硼硅玻璃和所述磷硅玻璃為：

利用濃度為5％至10％的HF溶液對所述硼硅玻璃和所述磷硅玻璃刻蝕10分鐘至20分鐘。

5.根據權利要求1-4任一項所述的N型雙面電池的制造方法，其特征在于，

所述在所述硅片的正面和背面制備SiN_x鈍化膜包括：

在所述硅片的正面制備折射率范圍為2.04至2.11且厚度范圍為60nm至80nm的SiN_x鈍化膜，在所述硅片的背面制備折射率范圍為2.04至2.11且厚度范圍為80nm至100nm的SiN_x鈍化膜。

6.根據權利要求5所述的N型雙面電池的制造方法，其特征在于，

所述對硅片進行清洗和表面制絨包括：

對硅片進行清洗，并采用濕法化學腐蝕的方式在所述硅片的表面形成45°的正金字塔絨面。

7.根據權利要求6所述的N型雙面電池的制造方法，其特征在于，

所述正面硼擴層的表面的硼硅玻璃的厚度為100nm至200nm。

8.根據權利要求7所述的N型雙面電池的制造方法，其特征在于，

所述在所述硅片的正面制備SiN_x掩膜為：

在所述硅片的正面利用等離子增強化學氣相沉積方式制備厚度范圍為10nm至80nm的SiN_x掩膜。

9.根據權利要求8所述的N型雙面電池的制造方法，其特征在于，

所述制備前電極和背電極包括：

采用絲網印刷、蒸發或濺射方式制備所述前電極和所述背電極。

10.根據權利要求8所述的N型雙面電池的制造方法，其特征在于，

所述制備前電極和背電極包括：

采用絲網印刷Ag漿料的方式制備所述前電極，采用絲網印刷Al漿料的方式制備所述背電極，并進行燒結。