[發(fā)明專利]一種柔性基板的剝離方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610508151.7 | 申請(qǐng)日: | 2016-07-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107564856B | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賀良偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/78 | 分類號(hào): | H01L21/78 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201506 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 柔性 剝離 方法 | ||
本發(fā)明涉及柔性顯示器件的制備領(lǐng)域,尤其涉及一種柔性基板的剝離方法,通過在柔性襯底和剛性基板之間制作電致伸縮材料和電極,在柔性襯底上制作完成電子或光學(xué)器件后,通過電壓控制電致伸縮材料發(fā)生形變,從而實(shí)現(xiàn)柔性襯底與剛性基板的分離。本發(fā)明的剝離方法成本低、可大面積實(shí)施,且在剝離時(shí)不會(huì)對(duì)柔性襯底上的電子或光學(xué)器件造成損壞,提高了產(chǎn)品的良率和產(chǎn)能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及柔性顯示器件的制備領(lǐng)域,尤其涉及一種柔性基板的剝離方法。
背景技術(shù)
柔性顯示一般是將柔性襯底材料譬如PI(聚酰亞胺)涂布在剛性基板上加熱烘烤做成柔性襯底,然后在所述柔性基板上制作電子或光學(xué)器件,制作完成后通過激光照射的形式進(jìn)行剝離,即在高分子基板(柔性襯底)和剛性基板(例如玻璃)界面施以高強(qiáng)度激光,將界面的一層高分子薄層燒蝕,從而實(shí)現(xiàn)剝離。
但是這種剝離方式受到激光掃描尺寸的限制,無法實(shí)現(xiàn)大面積剝離;而且還會(huì)在激光照射過程中損壞器件,降低產(chǎn)品良率;另外,激光剝離設(shè)備成本高,維護(hù)不易,降低了產(chǎn)能。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述技術(shù)問題,本發(fā)明旨在提供一種低成本、可大面積剝離的柔性基板的剝離方法,在剝離時(shí)不會(huì)對(duì)器件造成損壞,從而提高產(chǎn)品的良率和產(chǎn)能。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的主要技術(shù)方案為:
一種柔性基板的剝離方法,其特征在于,所述剝離方法包括:
于一剛性基板上制備伸縮復(fù)合膜層;
將一柔性襯底設(shè)置于所述伸縮復(fù)合膜層之上;
于所述柔性襯底之上制備顯示器件,以及
通過使所述伸縮復(fù)合膜層變形,以將所述柔性襯底剝離。
優(yōu)選的,上述的剝離方法中,所述伸縮復(fù)合膜層為電致伸縮復(fù)合膜層。
優(yōu)選的,上述的剝離方法中,于所述剛性基板上制備所述電致伸縮復(fù)合膜層的步驟包括:
于所述剛性基板之上形成第一電極;
于所述第一電極之上形成電致伸縮層;
于所述電致伸縮層之上形成第二電極;
其中,所述柔性襯底形成于所述第二電極之上,通過施加電壓于所述第一電極和所述第二電極,使所述電致伸縮層變形,以將所述柔性襯底從所述剛性基板上剝離。
優(yōu)選的,上述的剝離方法中,于所述第一電極和所述第二電極上施加的電壓大于所述電致伸縮層的相變閾值電壓。
優(yōu)選的,上述的剝離方法中,所述第一電極、所述電致伸縮層和所述第二電極均形成為平整的膜層,依次覆蓋于所述剛性基板之上。
優(yōu)選的,上述的剝離方法中,形成所述第一電極之前,
于所述剛性基板上開設(shè)若干凹槽,所述第一電極覆蓋所述若干凹槽的底部和側(cè)壁,以及所述剛性基板暴露的上表面;
其中,所述電致伸縮層填充于所述若干凹槽中,且與覆蓋于所述剛性基板暴露的上表面的所述第一電極齊平;
所述第二電極包括若干塊依次形成于填充在所述若干凹槽中的所述電致伸縮層之上,且不與所述第一電極接觸。
優(yōu)選的,上述的剝離方法中,形成第二電極之前,
于覆蓋在所述剛性基板暴露的上表面的所述第一電極之上形成第一介質(zhì)層;
繼續(xù)于所述電致伸縮層之上以及所述第一介質(zhì)層的上表面和側(cè)壁形成第二電極;
其中,所述第一介質(zhì)層隔離所述第一電極與所述第二電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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