[發(fā)明專利]一種柔性基板的剝離方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610508151.7 | 申請日: | 2016-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN107564856B | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 賀良偉 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201506 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 柔性 剝離 方法 | ||
1.一種柔性基板的剝離方法,其特征在于,所述剝離方法包括:
于一剛性基板上制備伸縮復合膜層;
將一柔性襯底設置于所述伸縮復合膜層之上;
于所述柔性襯底之上制備顯示器件;以及
通過使所述伸縮復合膜層變形,以將所述柔性襯底剝離;
所述伸縮復合膜層為電致伸縮復合膜層;
于所述剛性基板上制備所述電致伸縮復合膜層的步驟包括:
于所述剛性基板之上形成第一電極;
于所述第一電極之上形成電致伸縮層;以及
于所述電致伸縮層之上形成第二電極;
形成所述第一電極的步驟之前還包括:
于所述剛性基板上開設若干凹槽,所述第一電極覆蓋所述若干凹槽的底部和側壁,以及所述剛性基板暴露的上表面;
其中,所述電致伸縮層填充于所述若干凹槽中,且與覆蓋于所述剛性基板暴露的上表面的所述第一電極齊平;
所述第二電極包括若干塊依次形成于填充在所述若干凹槽中的所述電致伸縮層之上,且不與所述第一電極接觸。
2.如權利要求1所述的剝離方法,其特征在于,
所述柔性襯底形成于所述第二電極之上,將所述柔性襯底剝離的步驟包括:
通過施加電壓于所述第一電極和所述第二電極,使所述電致伸縮層變形,以將所述柔性襯底從所述剛性基板上剝離。
3.如權利要求2所述的剝離方法,其特征在于,于所述第一電極和所述第二電極上施加的電壓大于所述電致伸縮層的相變閾值電壓。
4.如權利要求1所述的剝離方法,其特征在于,所述第一電極、所述電致伸縮層和所述第二電極均形成為平整的膜層,依次覆蓋于所述剛性基板之上。
5.如權利要求1所述的剝離方法,其特征在于,形成所述第二電極的步驟之前還包括:
于覆蓋在所述剛性基板暴露的上表面的所述第一電極之上形成第一介質層;以及
繼續(xù)于所述電致伸縮層之上以及所述第一介質層的上表面和側壁形成第二電極;
其中,所述第一介質層隔離所述第一電極與所述第二電極。
6.如權利要求1所述的剝離方法,其特征在于,于所述剛性基板上制備所述電致伸縮復合膜層的步驟包括:
于所述剛性基板之上形成第三電極;
于所述第三電極之上形成第一電致伸縮層;
于所述第一電致伸縮層之上形成第四電極;
于所述第四電極之上形成第二電致伸縮層;以及
于所述第二電致伸縮層之上形成第五電極;
其中,所述柔性襯底形成于所述第五電極之上,通過施加電壓于所述第三電極、所述第四電極和所述第五電極,使所述第一電致伸縮層和所述第二電致伸縮層變形,以將所述柔性襯底從所述剛性基板上剝離。
7.如權利要求6所述的剝離方法,其特征在于,于所述第三電極、所述第四電極和所述第五電極上施加的電壓大于所述第一電致伸縮層和所述第二電致伸縮層的相變閾值電壓。
8.如權利要求6所述的剝離方法,其特征在于,所述第三電極、所述第一電致伸縮層、所述第四電極、所述第二電致伸縮層和所述第五電極均形成為平整的膜層,依次覆蓋于所述剛性基板之上。
9.如權利要求6所述的剝離方法,其特征在于,所述第四電極分為若干塊依次形成于所述第一電致伸縮層與所述第二電致伸縮層中,且所述第一電致伸縮層與所述第二電致伸縮層中的所述第四電極上下對應,以保證施加電壓后,所述第一電致伸縮層與所述第二電致伸縮層在對應的位置上同時變形;
其中,在所述第一電致伸縮層與所述第二電致伸縮層之間還形成有第二介質層,以隔離所述第一電致伸縮層和所述第二電致伸縮層,并隔離上下對應的所述第四電極。
10.如權利要求6所述的剝離方法,其特征在于,通過引腳分別將所述第三電極和所述第五電極連接至所述第四電極。
11.如權利要求1所述的剝離方法,其特征在于,還包括:
去除所述柔性襯底上剩余的部分所述伸縮復合膜層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





