[發明專利]用于形成蜂窩陣列的圖案的方法

有效

• 申請號: 201610506207.5
• 申請日: 2016-06-30
• 公開（公告）號: CN106910670B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 潘槿道;金永式;卜喆圭
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/8239
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 王建國;許偉群

一種用于形成圖案的方法包括在底層上形成橢圓形柱體。橢圓形柱體具有細長的特征，并且包括突出側以及與突出側連接的長側，并且四個橢圓形柱體在分離空間的周圍形成菱形陣列。附接至橢圓形柱體的側面的引導晶格形成為在分離空間內打開第一窗口。通過選擇性地去除橢圓形柱體，而在引導晶格內形成第二窗口。嵌段共聚物層形成為填充第一窗口和第二窗口。將嵌段共聚物層相分離，以在第一窗口內形成第一區域和第一矩陣以及在第二窗口內形成多個第二區域和第二矩陣。選擇性地去除第一區域和第二區域，以形成第一開口和第二開口。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2015年12月23日提交的申請號為10-2015-0184670的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明的各種實施例涉及半導體技術，更具體地，涉及用于形成蜂窩陣列的精細圖案的方法。

背景技術

隨著半導體產業快速地增長，已經致力于實現具有高器件密度的集成度更高的電路。為了降低半導體器件的單位單元所占據的面積，并且將更多的器件集成在半導體襯底的有限面積中，已經試驗了各種技術，實現具有小到幾納米至幾十納米的臨界尺寸(CD)的圖案。

當僅用光刻工藝來形成半導體器件的精細圖案時，由于光學系統的圖像分辨率限制和在光刻工藝中所使用的曝光光源的波長，因而在形成精細圖案上會存在一些限制。為了克服曝光分辨率限制或者圖像分辨率限制，已經嘗試了非光刻圖案化技術。例如，已經嘗試了使用聚合物分子的自組裝特性和嵌段共聚物材料的相分離的方法。

發明內容

根據一個實施例，提供了一種用于形成圖案的方法。所述方法包括在底層上形成橢圓形柱體。每個橢圓形柱體具有細長的特征，并且包括突出側以及與突出側連接的長側，并且四個橢圓形柱體在分離空間的周圍形成菱形陣列。引導晶格形成為附接至橢圓形柱體的側面，并且在分離空間內打開第一窗口。通過選擇性地去除橢圓形柱體而在引導晶格內形成第二窗口。嵌段共聚物層形成為填充第一窗口和第二窗口。將嵌段共聚物層相分離，以在第一窗口內形成第一區域和第一矩陣以及在第二窗口內形成多個第二區域和第二矩陣。選擇性地去除第一區域和第二區域，以形成第一開口和第二開口。

根據一個實施例，提供了一種用于形成圖案的方法。所述方法包括在底層上形成具有橫向細長的第二窗口的引導晶格。第二窗口設置為包圍第一窗口并且形成菱形陣列。嵌段共聚物層形成為填充第一和第二窗口。將嵌段共聚物層相分離，以在第一窗口內形成第一區域和第一矩陣以及在第二窗口內形成多個第二區域和第二矩陣。選擇性地去除第一區域和第二區域，以形成第一開口和第二開口。

根據一個實施例，提供了一種用于形成圖案的方法。所述方法包括在底層上形成橢圓形柱體，所述橢圓形柱體包括突出側以及與突出側連接的長側，并且具有細長的特征，從而使得突出側彼此面對而長側彼此對角地面對，并且分離空間位于相對的突出側之間。在分離空間內形成附接至橢圓形柱體的側面并且打開第一窗口的引導晶格。通過選擇性地去除橢圓形柱體，而在引導晶格內形成第二窗口。嵌段共聚物層形成為填充第一窗口和第二窗口。將嵌段共聚物層相分離，以在第一窗口內形成第一區域和第一矩陣以及在第二窗口內形成多個第二區域和第二矩陣。選擇性地去除第一區域和第二區域，以形成第一開口和第二開口。

附圖說明

結合附圖和所附的具體描述，本發明的各種實施例將變得更加顯然，其中：

圖1至圖18為圖示了根據一個實施例的用于形成圖案的方法的示意圖；以及

圖19至圖20為圖示了在一些實施例中使用的嵌段共聚物(BCP)的相分離的示意圖。

具體實施方式