[發明專利]用于形成蜂窩陣列的圖案的方法有效
| 申請號: | 201610506207.5 | 申請日: | 2016-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN106910670B | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發明(設計)人: | 潘槿道;金永式;卜喆圭 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/8239 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 王建國;許偉群 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 形成 蜂窩 陣列 圖案 方法 | ||
1.一種用于形成圖案的方法,所述方法包括:
在底層之上形成橢圓形柱體,其中,柱體組合而形成菱形陣列,使得分離空間位于菱形陣列的中心;
以大體上共形的方式形成包圍柱體的引導晶格,使得在分離空間內限定第一窗口;
去除柱體以形成第二窗口;
形成填充第一窗口和第二窗口的嵌段共聚物層;
將第一窗口內的嵌段共聚物層相分離成第一區域和第一矩陣;
將每個第二窗口內的嵌段共聚物層相分離成多個第二區域和第二矩陣;以及
去除第一區域和多個第二區域,以分別形成第一開口和多個第二開口,
其中,引導晶格具有提供第一窗口和第二窗口的晶格形狀,
其中,每個第二窗口具有長軸寬度和短軸寬度,并且長軸寬度與短軸寬度不同,以及
其中,第一窗口具有圓形孔形狀或正方形孔形狀。
2.根據權利要求1所述的方法,
其中,柱體包括第一柱體、第二柱體、第三柱體和第四柱體,
其中,每個柱體包括突出側和長側,
其中,長側與突出側連續地連接,
其中,第一柱體和第二柱體的突出側彼此面對,以及
其中,第三柱體和第四柱體的長度彼此面對。
3.根據權利要求1所述的方法,
其中,每個柱體具有在長軸方向上的第一寬度和在短軸方向上的第二寬度,以及
其中,第一寬度和第二寬度彼此不同。
4.根據權利要求3所述的方法,
其中,分離空間具有第三寬度,
其中,第一寬度比第三寬度大,以及
其中,第二寬度比第三寬度小。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,形成引導晶格包括:
形成覆蓋柱體的引導層;以及
執行針對引導層的各向異性刻蝕,以形成引導晶格。
6.根據權利要求1所述的方法,
其中,每個柱體具有橢圓形形狀,以及
其中,柱體的長軸彼此沿相同的方向延伸。
7.根據權利要求1所述的方法,
其中,形成在每個第二窗口內的多個第二區域的數目為2。
8.根據權利要求1所述的方法,
其中,形成在第二窗口內的多個第二區域組合而形成六邊形圖案,以及
其中,第一區域位于六邊形圖案的中心。
9.根據權利要求1所述的方法,還包括:
圖案化底層,以形成通孔,
其中,通孔從第一開口和多個第二開口延伸。
10.根據權利要求9所述的方法,
其中,通過將第一矩陣和第二矩陣以及引導晶格組合用作刻蝕掩模來刻蝕底層而形成通孔。
11.一種用于形成圖案的方法,所述方法包括:
在底層之上形成引導晶格,使得在底層之上限定第一窗口和多個第二窗口,其中,多個第二窗口組合形成菱形圖案,其中,每個第二窗口具有細長的結構,以及其中,第一窗口位于菱形圖案的中心;
形成填充第一窗口和多個第二窗口的嵌段共聚物層;
將第一窗口內的嵌段共聚物層相分離成第一區域和第一矩陣;
將每個第二窗口內的嵌段共聚物層相分離成多個第二區域和第二矩陣;以及
去除第一區域和多個第二區域,以分別形成第一開口和多個第二開口,
其中,引導晶格具有提供第一窗口和第二窗口的晶格形狀,
其中,每個第二窗口具有長軸寬度和短軸寬度,并且長軸寬度與短軸寬度不同,以及
其中,第一窗口具有圓形孔形狀或正方形孔形狀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





