[發(fā)明專利]納米異質結構

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610502944.8
• 申請日: 2016-07-01
• 公開（公告）號: CN107564947A
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發(fā)明（設計）人: 張金;魏洋;姜開利;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉及一種納米異質結構。

背景技術

異質結是由兩種不同的半導體材料相接觸所形成的界面區(qū)域。按照兩種材料的導電類型不同，異質結可分為同型異質結（P-p結或N-n結）和異型異質(P-n或p-N)結，多層異質結稱為異質結構。通常形成異質的條件是：兩種半導體有相似的晶體結構、相近的原子間距和熱膨脹系數(shù)。利用界面合金、外延生長、真空淀積等技術，都可以制造異質結。異質結常具有兩種半導體各自的PN結都不能達到的優(yōu)良的光電特性，使它適宜于制作超高速開關器件、太陽能電池以及半導體激光器等。

近年來，二維半導體材料由于具有優(yōu)異的電子和光學性能，成為異質結構領域的研究熱點。然而，受技術水平的限制，這種材料的異質結構通常為微米結構，一定程度上限制了其應用范圍。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，確有必要提供一種納米異質結構。

一種納米異質結構，其包括一第一碳納米管，該第一碳納米管朝一第一方向延伸；一半導體層，該半導體層的厚度為1~100納米；一第二碳納米管，該第二碳納米管設置于所述半導體層的表面，使半導體層設置于第一碳納米管和第二碳納米管之間，該第二碳納米管朝一第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夾角，該夾角大于0度小于等于90度。

優(yōu)選地，所述第一碳納米管和第二碳納米管分別為單壁碳納米管，更進一步地，為金屬型單壁碳納米管。

優(yōu)選地，所述第一碳納米管和第二碳納米管的直徑為1納米～10納米。

優(yōu)選地，所述半導體層為過渡金屬硫化物，更進一步地，所述半導體層為硫化鉬材料。

優(yōu)選地，第一碳納米管和第二碳納米管的延伸方向相互垂直。

相較于現(xiàn)有技術，本發(fā)明所提供的納米異質結構中，第一碳納米管和第二碳納米管以及夾在第一碳納米管和第二碳納米管之間的半導體層形成一個三層立體結構，該三層立體結構的橫截面的大小由第一碳納米管和第二碳納米管的直徑?jīng)Q定，由于碳納米管的直徑為納米級，因此，該三層立體結構的橫截面為納米級，故，該納米異質結構在應用時具有較低的能耗、較高的空間分辨率以及更高的完整性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實施例提供的納米異質結構的整體結構示意圖。

圖2為本發(fā)明第一實施例提供的納米異質結構的側視示意圖。

圖3為本發(fā)明第二實施例提供的納米異質結構的制備方法流程圖。

圖4為本發(fā)明第三實施例提供的納米晶體管的結構示意圖。

圖5為本發(fā)明第四實施例提供的納米晶體管的制備方法流程圖。

圖6為本發(fā)明第五實施例提供的光探測器的結構示意圖。

主要元件符號說明