[發明專利]納米異質結構

在審

• 申請號: 201610502944.8
• 申請日: 2016-07-01
• 公開（公告）號: CN107564947A
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 張金;魏洋;姜開利;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種納米異質結構，其包括一第一碳納米管，該第一碳納米管朝一第一方向延伸；一半導體層，該半導體層的厚度為1~200納米；一第二碳納米管，該第二碳納米管設置于所述半導體層的表面，使過半導體層設置于第一碳納米管和第二碳納米管之間，該第二碳納米管朝一第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夾角，該夾角大于0度小于等于90度。

2.如權利要求1所述的納米異質結構，其特征在于，所述第一碳納米管或第二碳納米管為金屬型碳納米管。

3.如權利要求1所述的納米異質結構，其特征在于，所述第一碳納米管或第二碳納米管為單壁碳納米管。

4.如權利要求1所述的納米異質結構，其特征在于，所述第一碳納米管或第二碳納米管的直徑為1納米～10納米。

5.如權利要求1所述的納米異質結構，其特征在于，所述第一碳納米管和第二碳納米管的交叉出與半導體層形成一三層立體結構，該三層立體結構的橫截面面積在1nm²~100nm²之間。

6.如權利要求1所述的納米異質結構，其特征在于，所述半導體層的厚度為1納米~10納米。

7.如權利要求1所述的納米異質結構，其特征在于，所述半導體層為無機化合物半導體、元素半導體或有機半導體。

8.如權利要求1所述的納米異質結構，其特征在于，所述半導體材料為砷化鎵、碳化硅、多晶硅、單晶硅、萘或硫化鉬。

9.如權利要求1所述的納米異質結構，其特征在于，所述第一方向和第二方向之間的夾角為大于60度小于等于90度。

10.如權利要求9所述的納米異質結構，其特征在于，所述第一方向和第二方向之間的夾角等于90度。