[發(fā)明專利]一種LED芯片的切割及劈裂方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610488127.1
• 申請日: 2016-06-29
• 公開（公告）號: CN107546300B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄺耘豐;楊杰;封波;龔文明
• 申請（專利權(quán)）人: 晶能光電（江西）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明提供了一種LED芯片的切割及劈裂方法，具體包括：S1在LED芯片上表面切割出一預(yù)設(shè)厚度的槽；S2沿LED芯片下表面進(jìn)行劈裂，完成對所述LED芯片的完全劈裂。采用本發(fā)明提供的切割及劈裂方法之后，大大簡化切割工藝流程，有效解決了現(xiàn)有切割方法引起的金屬卷片翹起、殘留金屬殘渣等問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種LED芯片的切割及劈裂方法。

背景技術(shù)

目前，LED芯片常規(guī)的切割及劈裂方式包括激光切割、刀片切割等方式。其中，在激光切割方式中，一般先采用激光在LED芯片正反表面劃線之后再進(jìn)行機械裂片；在刀片切割方式中，一般先采用刀片在LED芯片正反表面切割一定深度之后再進(jìn)行劈裂。

采用上述方法對LED芯片進(jìn)行切割和裂片，雖然產(chǎn)速高、成本低，但是在某些背鍍金屬的LED芯片中，由于金屬的韌性，如果仍然采用上述常規(guī)方式對其進(jìn)行切割和劈裂，會帶來一系列的問題，如金屬卷片翹起、殘留金屬殘渣等。但是這種背鍍金屬的LED芯片，如果不進(jìn)行背面切割，又很難進(jìn)行劈裂。因而如何有效地對這種LED芯片進(jìn)行切割和劈裂就成了需要克服的難點。

發(fā)明內(nèi)容

基于上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種LED芯片的切割及劈裂方法，有效解決了現(xiàn)有劈裂方法引起的金屬卷片翹起、殘留金屬殘渣等問題。

為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種LED芯片的切割及劈裂方法，所述LED芯片的下表面包括背面金屬層，所述切割及劈裂方法包括：

S1在LED芯片上表面切割出預(yù)設(shè)厚度的槽；

S2沿LED芯片下表面進(jìn)行劈裂，完成對所述LED芯片的完全劈裂。

進(jìn)一步優(yōu)選地，在步驟S1中具體包括：

于所述LED芯片上表面沿管芯中間的切割道切割出預(yù)設(shè)厚度的槽。

進(jìn)一步優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)厚度大于所述LED芯片厚度的1/8。

進(jìn)一步優(yōu)選地，在步驟S2中，具體包括：

S21沿LED芯片下表面進(jìn)行第一次劈裂，將所述背面金屬層外的LED芯片劈開；

S22沿LED芯片下表面進(jìn)行第二次劈裂，將所述背面金屬層劈裂，完成對所述LED芯片的完全劈裂。

進(jìn)一步優(yōu)選地，在步驟S21中具體包括：

S211將所述LED芯片放置在芯片劈裂機臺上；

S212沿LED芯片下表面中與步驟S1中切割出來的槽的相對位置處對LED芯片進(jìn)行第一次劈裂。

進(jìn)一步優(yōu)選地，在步驟S22中具體包括：

LED芯片下表面中步驟S212的劈裂位置對所述LED芯片進(jìn)行第二次劈裂，將所述背面金屬層劈裂，完成對所述LED芯片的完全劈裂。

本發(fā)明提供的LED芯片的切割及劈裂方法，其有益效果為：

本發(fā)明提供的切割及劈裂方法針對類似背鍍金屬層的LED芯片，對于這類型的LED芯片，不再需要從LED芯片的背面實現(xiàn)對其的切割，采用本發(fā)明提供的切割及劈裂方法之后，大大簡化切割工藝流程，有效解決了現(xiàn)有切割方法引起的金屬卷片翹起、殘留金屬殘渣等問題。同時，有效避免了背面金屬層切割之后對后續(xù)的封裝、共晶等工藝產(chǎn)生的二次影響，大大提升了劃裂良率和產(chǎn)品良率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明中在LED芯片上表面開設(shè)預(yù)設(shè)厚度的槽的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明中第一劈裂LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明中第二劈裂LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖。