[發(fā)明專利]電子設備及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610487376.9
• 申請日: 2016-06-28
• 公開（公告）號: CN106611767B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設計）人: 李宰演
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L27/22;H01L27/115;H01L21/768;G11C13/00;G11C11/02;G11C16/02
• 代理公司: 北京弘權知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

提供了一種電子設備及其制造方法。根據(jù)所公開技術的實施方式的電子設備是包括半導體存儲器的電子設備，其中，半導體存儲器包括：多個第一線，沿著第一方向延伸；多個第二線，沿著與第一方向交叉的第二方向延伸；多個可變電阻元件，設置在第一線與第二線之間且位于第一線和第二線的交叉處；以及插塞，連接到每個第一線的第一部分，其中，插塞包括導電層和具有比導電層的電阻值高的電阻值的材料層。

相關申請的交叉引用

本申請要求2015年10月20日提交的第10-2015-0145911號、發(fā)明名稱為“電子設備及其制造方法”的韓國專利申請的優(yōu)先權，其通過引用整體合并于此。

技術領域

本專利文件涉及存儲電路或器件以及它們在電子設備或系統(tǒng)中的應用。

背景技術

近來，隨著電子電器朝著微型化、低功耗、高性能、多功能等的發(fā)展，本領域已需要能夠在諸如計算機、便攜式通信設備等的各種電子電器中儲存信息的半導體器件，且已經(jīng)半導體器件開展了研發(fā)。這種半導體器件包括可以根據(jù)施加的電壓或電流在不同的電阻狀態(tài)之間切換的特性來儲存數(shù)據(jù)的半導體器件，例如，RRAM(電阻式隨機存取存儲器)、PRAM(相變隨機存取存儲器)、 FRAM(鐵電隨機存取存儲器)、MRAM(磁隨機存取存儲器)、電子熔絲等。

發(fā)明內(nèi)容

本專利文件中的公開技術包括存儲電路或器件、它們在電子設備或系統(tǒng)中的應用以及電子設備的各種實施方式，其中，半導體存儲器的操作特性和可靠性可以得到改善。

在實施方式中，提供了一種包括半導體存儲器的電子設備，其中，半導體存儲器包括：多個第一線，沿著第一方向延伸；多個第二線，沿著與第一方向交叉的第二方向延伸；多個可變電阻元件，設置在第一線與第二線之間且位于第一線和第二線的交叉處；以及插塞，連接到每個第一線的第一部分，其中，插塞包括導電層和具有比導電層的電阻值高的電阻值的材料層。

上述電子設備的實施方式可以包括以下實施方式中的一種或更多種。

材料層包括電介質材料或半導體材料。材料層對半導體存儲器的操作電流表現(xiàn)出類歐姆特征。材料層在半導體存儲器的操作電流下不分解。在用于將數(shù)據(jù)儲存在可變電阻元件中的寫入操作中，插塞被用作電流路徑。半導體存儲器還包括與每個第一線的第二部分連接的導電插塞，第二部分與第一部分分開。在用于將數(shù)據(jù)儲存在可變電阻元件中的寫入操作中，插塞被用作電流路徑，以及在用于讀取儲存在可變電阻元件中的數(shù)據(jù)的讀取操作中，導電插塞被用作電流路徑。插塞和導電插塞設置在第一方向上，所述多個可變電阻元件設置在插塞與導電插塞之間。插塞和導電插塞相對于在第一方向上設置在插塞與導電插塞之間的可變電阻元件和第二線而彼此相對地設置，插塞和導電插塞在第一線、可變電阻元件和第二線層疊所沿的第三方向上具有基本相同的厚度。導電層的側壁與材料層的側壁對準。導電層包括第一導電層和第二導電層，材料層設置在第一導電層與第二導電層之間。材料層還沿著第二導電層的側壁延伸。材料層位于插塞的一端或兩端。所述多個第二線被劃分為第一組和第二組；電子設備包括第一區(qū)塊區(qū)域和第二區(qū)塊區(qū)域，第一區(qū)塊區(qū)域包括位于所述多個第一線與第一組的第二線的交叉處的可變電阻元件，第二區(qū)塊區(qū)域包括位于所述多個第一線與第二組的第二線的交叉處的可變電阻元件；以及插塞位于第一區(qū)塊區(qū)域與第二區(qū)塊區(qū)域之間的第一區(qū)域中，或者位于與第一區(qū)塊區(qū)域和第二區(qū)塊區(qū)域的兩側相對應的第二區(qū)域中。半導體存儲器還包括連接到每個第一線的第二部分的導電插塞；以及如果插塞位于第一區(qū)域和第二區(qū)域中的一個中，則導電插塞位于第一區(qū)域和第二區(qū)域中的另一個中。

電子設備還可以包括微處理器，微處理器包括：控制單元，被配置成從微處理器的外部接收包括命令的信號，以及執(zhí)行對命令的提取、解碼或者對微處理器的信號的輸入或輸出的控制；操作單元，被配置成基于控制單元解碼命令的結果來執(zhí)行操作；以及存儲單元，被配置成儲存用于執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)、與執(zhí)行操作的結果相對應的數(shù)據(jù)或者被執(zhí)行操作的數(shù)據(jù)的地址，其中，半導體存儲器是微處理器中的存儲單元的部件。