[發(fā)明專利]電子設(shè)備及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610487376.9
• 申請(qǐng)日: 2016-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN106611767B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李宰演
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/24
• 分類號(hào): H01L27/24;H01L27/22;H01L27/115;H01L21/768;G11C13/00;G11C11/02;G11C16/02
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

1.一種包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的電子設(shè)備，其中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括：

多個(gè)第一線，沿著第一方向延伸；

多個(gè)第二線，沿著與第一方向垂直的第二方向延伸；

多個(gè)可變電阻元件，設(shè)置在第一線與第二線之間；以及

插塞，連接到每個(gè)第一線的第一部分，其中，插塞沿第三方向與可變電阻元件分隔開、且沿第三方向不與可變電阻元件交迭，第三方向與第一方向和第二方向垂直，

其中，每個(gè)第一線沿第三方向設(shè)置在可變電阻元件與插塞之間；

其中，插塞包括導(dǎo)電層和具有比導(dǎo)電層的電阻值高的電阻值的材料層；

其中，在用于將數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在可變電阻元件中的寫入操作中，插塞的導(dǎo)電層和材料層被用作電流路徑，以及

其中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器還包括導(dǎo)電插塞，導(dǎo)電插塞連接到每個(gè)第一線的第二部分，第二部分與第一部分分開。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，材料層包括電介質(zhì)材料或半導(dǎo)體材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，材料層對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的操作電流表現(xiàn)出類歐姆特征。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，導(dǎo)電層和材料層沿第三方向?qū)盈B。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，材料層的厚度小于導(dǎo)電層的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，在用于讀取儲(chǔ)存在可變電阻元件中的數(shù)據(jù)的讀取操作中，導(dǎo)電插塞被用作電流路徑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，插塞和導(dǎo)電插塞設(shè)置在第一方向上，所述多個(gè)可變電阻元件設(shè)置在插塞與導(dǎo)電插塞之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，插塞和導(dǎo)電插塞相對(duì)于在第一方向上設(shè)置在插塞與導(dǎo)電插塞之間的可變電阻元件和第二線而彼此相對(duì)地設(shè)置，以及插塞和導(dǎo)電插塞在第一線、可變電阻元件和第二線層疊所沿的第三方向上具有基本相同的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，導(dǎo)電層的側(cè)壁與材料層的側(cè)壁對(duì)準(zhǔn)。

10.一種包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的電子設(shè)備，其中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括：

多個(gè)第一線，沿著第一方向延伸；

多個(gè)第二線，沿著與第一方向交叉的第二方向延伸；

多個(gè)可變電阻元件，設(shè)置在第一線與第二線之間且位于第一線和第二線的交叉處；以及

插塞，連接到每個(gè)第一線的第一部分，其中，插塞包括導(dǎo)電層和具有比導(dǎo)電層的電阻值高的電阻值的材料層，

其中，導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，以及材料層設(shè)置在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其中，材料層還沿著第二導(dǎo)電層的側(cè)壁延伸。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，材料層位于插塞的一端或兩端。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其中，

所述多個(gè)第二線被劃分為第一組和第二組；

電子設(shè)備包括第一區(qū)塊區(qū)域和第二區(qū)塊區(qū)域，第一區(qū)塊區(qū)域包括位于所述多個(gè)第一線與第一組的第二線的交叉處的可變電阻元件，第二區(qū)塊區(qū)域包括位于所述多個(gè)第一線與第二組的第二線的交叉處的可變電阻元件；以及

插塞位于第一區(qū)塊區(qū)域與第二區(qū)塊區(qū)域之間的第一區(qū)域中，或者位于與第一區(qū)塊區(qū)域和第二區(qū)塊區(qū)域的兩側(cè)相對(duì)應(yīng)的第二區(qū)域中。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子設(shè)備，其中，

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器還包括連接到每個(gè)第一線的第二部分的導(dǎo)電插塞；以及

如果插塞位于第一區(qū)域和第二區(qū)域中的一個(gè)中，則導(dǎo)電插塞位于第一區(qū)域和第二區(qū)域中的另一個(gè)中。