[發明專利]存儲單元及存儲器

在審

• 申請號: 201610485907.0
• 申請日: 2016-06-22
• 公開（公告）號: CN107527641A
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 葉曉
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C7/10
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

1.一種存儲單元，其特征在于，包括：

第一子存儲單元，包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管的柵極連接選擇柵極線，源極連接所述第二晶體管的漏極，漏極連接所述第一位線，所述第二晶體管的柵極連接第一字線，源極連接源極線；

第二子存儲單元，包括第三晶體管和第四晶體管，所述第三晶體管的柵極連接所述選擇柵極線，源極連接所述第四晶體管的漏極，漏極連接所述第二位線，所述第四晶體管的柵極連接第二字線，源極連接所述源極線；

其中，所述第一子存儲單元和所述第二子存儲單元的邏輯狀態相反。

2.如權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，將所述第一位線與所述第二位線的電流進行比較，得出所述存儲單元的邏輯狀態。

3.如權利要求2所述的存儲單元，其特征在于，若所述第一子存儲單元為邏輯“0”，所述第二子存儲單元為邏輯“1”，則所述第一位線的電流大于所述第二位線的電流，所述存儲單元為邏輯“0”。

4.如權利要求2所述的存儲單元，其特征在于，若所述第一子存儲單元為邏輯“1”，所述第二子存儲單元為邏輯“0”，則所述第一位線的電流小于所述第二位線的電流，所述存儲單元為邏輯“1”。

5.如權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管及所述第四晶體管均為PMOS晶體管。

6.如權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第一晶體管包括位于半導體襯底中的第一源極、第一漏極以及位于所述第一源極和所述第一漏極之間的所述半導體襯底上的第一選擇柵極。

7.如權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第二晶體管包括位于所述半導體襯底中的第二源極、第二漏極、位于所述第二源極和所述第二漏極之間的所述半導體襯底上的第一浮柵極以及位于所述第一浮柵極上的第一控制柵極。

8.如權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第三晶體管包括位于半導體襯底中的第三源極、第三漏極以及位于所述第三源極和所述第三漏極之間的所述半導體襯底上的第二選擇柵極。

9.如權利要求1所述的存儲單元，其特征在于，所述第四晶體管包括位于所述半導體襯底中的第四源極、第四漏極、位于所述第四源極和所述第四漏極之間的所述半導體襯底上的第二浮柵極以及位于所述第二浮柵極上的第二控制柵極。

10.一種存儲器，其特征在于，包括：

陣列分布的如權利要求1～9中任意一項所述的存儲單元；

比較器，具有至少兩個輸入端和一個輸出端，兩個所述輸入端分別連接第一位線和第二位線，并根據所述第一位線和所述第二位線的電流大小，輸出所述存儲單元的邏輯狀態。

11.如權利要求10所述的存儲器，其特征在于，若第一子存儲單元為邏輯“0”，第二子存儲單元為邏輯“1”，則所述第一位線的電流大于所述第二位線的電流，所述比較器輸出所述存儲單元的邏輯狀態“0”。

12.如權利要求10所述的存儲器，其特征在于，若第一子存儲單元為邏輯“1”，第二子存儲單元為邏輯“0”，則所述第一位線的電流小于所述第二位線的電流，所述比較器輸出所述存儲單元的邏輯狀態“1”。