[發(fā)明專利]半導體器件及半導體器件的制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610474194.8
• 申請日: 2016-06-24
• 公開（公告）號: CN106876461A
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發(fā)明（設計）人: 千大煥;鄭永均;周洛龍;樸正熙;李鐘錫
• 申請（專利權）人: 現代自動車株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 陳鵬,李靜

1.一種半導體器件，其包括

n-型層，設置在n+型碳化硅基板的第一表面上；

第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽和所述第二溝槽設置在所述n-型層上且彼此隔開；

p型區(qū)域，包圍所述第一溝槽的側面和拐角；

n+型區(qū)域，設置在所述p型區(qū)域和所述第一溝槽和所述第二溝槽之間的所述n-型層上；

柵絕緣層，設置在所述第二溝槽內；

柵電極，設置在所述柵絕緣層上；

氧化層，設置在所述柵電極上；

源電極，設置在所述氧化層和所述n+型區(qū)域上且設置在所述第一溝槽內；以及

漏電極，設置在所述n+型碳化硅基板的第二表面上，

其中，所述源電極與設置在所述第一溝槽下方的所述n-型層接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，所述半導體器件進一步包括設置在所述n-型層和所述n+型區(qū)域之間的低濃度n-型層。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述低濃度n-型層的摻雜濃度小于所述n-型層的摻雜濃度。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述低濃度n-型層設置在所述第二溝槽和所述p型區(qū)域之間。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，所述半導體器件進一步包括設置在p型區(qū)域和所述第一溝槽之間的p+型區(qū)域。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述p+型區(qū)域包圍所述第一溝槽的所述側面和所述拐角。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述源電極包括肖特基電極和設置在肖特基電極上的歐姆電極。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述肖特基電極與設置在所述第一溝槽下方的所述n-型層接觸。

9.一種半導體器件的制造方法，包括：

在n+型碳化硅基板的第一表面上依次形成n-型層和低濃度n-型層；

在所述低濃度n-型層上形成n+型區(qū)域；

通過刻蝕所述n+型區(qū)域和所述低濃度n-型層形成彼此隔開的第一溝槽和第二溝槽；

形成p型區(qū)域以包圍所述第一溝槽的側面和拐角；

在所述第二溝槽內形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成柵電極；

在所述柵電極上形成氧化層；

在所述氧化層和所述n+型區(qū)域上以及在所述第一溝槽內形成源電極；以及

在所述n+型碳化硅基板的第二表面上形成漏電極，

其中，多個所述p型區(qū)域彼此隔開，且

其中，所述源電極與設置在所述第一溝槽下方的所述n-型層接觸。

10.根據權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中，所述低濃度n-型層的摻雜濃度小于所述n-型層的摻雜濃度。

11.根據權利要求10所述的半導體器件的制造方法，其中，在形成所述p型區(qū)域的步驟中，采用傾斜離子注入法注入p離子。

12.根據權利要求11所述的半導體器件的制造方法，進一步包括在所述p型區(qū)域和所述第一溝槽之間形成p+型區(qū)域。

13.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中，在形成所述p+型區(qū)域的步驟中，采用傾斜離子注入法注入p+離子。