[發(fā)明專利]一種C/C基體表面制備碳化硅涂層的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610452613.8 | 申請日： | 2016-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN107522507A | 公開（公告）日： | 2017-12-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 范佳晨;趙云龍;徐丹;徐凱;徐再;趙維達(dá) | 申請（專利權(quán)）人： | 張家港市山牧新材料技術(shù)開發(fā)有限公司 |
| 主分類號： | C04B41/87 | 分類號： | C04B41/87;C04B35/52 |
| 代理公司： | 常州市維益專利事務(wù)所(普通合伙)32211 | 代理人： | 陸華君 |
| 地址： | 215625 江蘇省蘇州市張家港市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基體 表面 制備 碳化硅 涂層 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種C/C基體表面制備碳化硅涂層的方法，其特征在于，包括步驟：
(1)、C/C基體表面打磨、超聲清洗并干燥；
(2)、將C/C基體包埋在硅粉、石墨粉和MoSi2的混合粉末中進(jìn)行熱處理；
(3)、通過浮選法去除未反應(yīng)的活性炭和碳化硅顆粒，在C/C基體表面得到碳化硅涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的C/C基體表面制備碳化硅涂層的方法，其特征在于：步驟(2)中，熱處理的升溫速率為2～10℃/min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的C/C基體表面制備碳化硅涂層的方法，其特征在于：步驟(2)中，熱處理溫度1800～2000℃，熱處理時(shí)間4～5小時(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的C/C基體表面制備碳化硅涂層的方法，其特征在于：步驟(2)中，硅粉、石墨粉和MoSi2粉的質(zhì)量比為(5～7):(1.6～2):1。
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