[發明專利]一種氣體集成傳感器芯片

在審

• 申請號: 201610450782.8
• 申請日: 2016-06-17
• 公開（公告）號: CN107515235A
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 鐘愛華
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: G01N27/12
• 分類號: G01N27/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種集成傳感器芯片，包括氣體傳感單元(1)、參照傳感單元(2)，導線(13)和連接端(12)，其特征在于氣體傳感單元(1)和參照傳感單元(2)集成于同一芯片，制備在有半導體層(10)的基片(11)上。

2.根據權利要求1所述的傳感單元(1)其特征在于，包括肖特基二極管、鉑金或其合金電阻(5)，電阻(5)與半導體層(10)之間有一層電介質層(6)，傳感單元(1)底部基片部分或完全刻蝕(9)。

3.根據權利要求2所述的肖特基二極管其特征在于肖特基接觸(3)為鉑金、鈀、鉑合金或鈀合金。

4.根據權利要求2所述的電阻(5)其特征在于，所述電阻(5)與半導體層(10)之間插入一層介質層(6)，根據介質層與電阻金屬的粘附性可以插入或不插入鈦、鉻、鎳等金屬層(14)。所述電阻(5)既用作加熱器也用作溫度傳感器，位于肖特基接觸電極(3)附近。

5.根據權利要求1所述的傳感單元(1)用于包括氫氣、碳氫化合物、氨氣檢測。

6.根據權利要求1所述的參照傳感單元(2)包括肖特基接觸電極(10)、另一電極(4)和微加熱器(8)，肖特基接觸電極(7)為對氫氣不敏感的金屬層，肖特基接觸電極(7)附近設一微加熱器(8)，微加熱器(8)與半導體層(10)之間有一層電介質層(6)和一層過渡金屬層(15)，參照傳感單元(2)底部基片部分或完全刻蝕(9)。

7.根據權利要求1所述的傳感單元(1)和參照傳感單元(2)通過芯片上的導線(13)和連接端(12)相連。