[發明專利]模塊化半導體處理設備

有效

• 申請號: 201610446274.2
• 申請日: 2016-06-21
• 公開（公告）號: CN107527832B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發明（設計）人: 溫子瑛;王吉
• 申請（專利權）人: 無錫華瑛微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 蘇州簡理知識產權代理有限公司 32371
• 代理人: 楊瑞玲

本發明公開了一種模塊化半導體處理設備，其包括：半導體處理模塊、流體傳送模塊、流體承載模塊、通風模塊和控制模塊。所述通風模塊被放置于所述半導體處理模塊、所述流體傳送模塊、所述流體承載模塊和所述控制模塊之間，用于對所述半導體處理模塊、所述流體傳送模塊、所述流體承載模塊和/或所述控制模塊進行通風換氣。本發明中的半導體處理設備由幾個模塊組成，具有結構簡單，組裝方便靈活，易于更換、便于維修等優點。

【技術領域】

本發明涉及半導體表面處理領域，尤其涉及一種對半導體晶圓進行表面處理的模塊化半導體處理設備。

【背景技術】

目前集成電路逐漸被應用到很多領域中，比如計算機、通信、工業控制和消費性電子等。集成電路的制造業，已經成為和鋼鐵一樣重要的基礎產業。

晶圓是生產集成電路所用的載體。在實際生產中需要制備的晶圓具有平整、超清潔的表面，而用于制備超清潔晶圓表面的現有方法可分為兩種類別：諸如浸沒與噴射技術的濕法處理過程，及諸如基于化學氣相與等離子技術的干法處理過程。其中濕法處理過程是現有技術采用較為廣泛的方法，濕法處理過程通常包括采用適當化學溶液浸沒或噴射晶圓之一連串步驟組成。

然而，一般現有的制備超清潔晶圓表面的設備一般具有如下缺點：1、結構非常復雜、體積較龐大，成本也較高；2、這些設備一旦出現故障，排除故障一般需要停止產線的生產，影響產出；3、一旦安裝完成后，不易進行功能和位置方面的調整和改變；4、搬運不方便。隨著半導體器件尺寸的不斷縮小，制造半導體器件所用的晶圓尺寸不斷增大，半導體生產工藝需要不斷改進，所用設備也跟著需要調整或更換。

因此，有必要提出一種解決方案來解決上述問題。

【發明內容】

本發明要解決的技術問題在于提供一種體積較小、結構簡單、組件易于更換、方便搬運的半導體處理設備。

為了解決上述問題，根據本發明的一個方面，本發明提供了一種模塊化半導體處理設備，其包括：半導體處理模塊、流體傳送模塊、流體承載模塊、通風模塊和控制模塊。所述半導體處理模塊包括一用于容納和處理半導體晶圓的微腔室，所述微腔室包括一個或多個供流體進入所述微腔室的入口和一個或多個供流體排出所述微腔室的出口。所述流體傳送模塊用于將各種未使用流體通過管道和所述微腔室的入口輸送至所述微腔室內，所述控制模塊用于控制所述半導體處理模塊和所述流體傳送模塊，所述流體承載模塊用于承載各種未使用流體和/或處理過所述半導體晶圓的已使用流體，所述通風模塊被放置于所述半導體處理模塊、所述流體傳送模塊、所述流體承載模塊和所述控制模塊之間，用于對所述半導體處理模塊、所述流體傳送模塊、所述流體承載模塊和/或所述控制模塊進行通風換氣。

進一步的，所述通風模塊包括第一側壁、與第一側壁間隔相對的第二側壁、與第一側壁和第二側壁的頂部鄰接的第一通風接口、與第一側壁和第二側壁的底部鄰接的第二通風接口，以及位于第一側壁、第二側壁、第一通風接口、第二通風接口之間的通風腔室，所述半導體處理模塊、流體傳送模塊、流體承載模塊與所述通風模塊的第一側壁相鄰接，所述控制模塊與所述通風模塊的第二側壁相鄰接。

進一步的，所述通風模塊還包括有貫穿所述通風模塊的第一側壁的多個通風端口，貫穿所述通風模塊的第一側壁的通風端口的一端與所述通風腔室連通，另一端分別與所述半導體處理模塊、流體傳送模塊、流體承載模塊連通。

進一步的，所述通風模塊還包括有貫穿所述通風模塊的第二側壁的一個或多個通風端口，貫穿所述通風模塊的第二側壁的通風端口的一端與所述通風腔室連通，另一端與所述控制模塊連通。

進一步的，所述通風模塊還包括有與第一通風接口和/或第二通風接口相連通的風機。

與現有技術相比，本發明中的半導體處理設備由幾個模塊組成，具有結構簡單，組裝方便靈活，易于更換、便于維修等優點。

關于本發明的其他目的，特征以及優點，下面將結合附圖在具體實施方式中詳細描述。