[發明專利]模塊化半導體處理設備

有效

• 申請號: 201610446274.2
• 申請日: 2016-06-21
• 公開（公告）號: CN107527832B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發明（設計）人: 溫子瑛;王吉
• 申請（專利權）人: 無錫華瑛微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 蘇州簡理知識產權代理有限公司 32371
• 代理人: 楊瑞玲

1.一種模塊化半導體處理設備，其特征在于，其包括：

半導體處理模塊、流體傳送模塊、流體承載模塊、通風模塊和控制模塊，

所述半導體處理模塊包括一用于容納和處理半導體晶圓的微腔室，所述微腔室包括一個或多個供流體進入所述微腔室的入口和一個或多個供流體排出所述微腔室的出口，

所述流體傳送模塊用于將各種未使用流體通過管道和所述微腔室的入口輸送至所述微腔室內，

所述控制模塊用于控制所述半導體處理模塊和所述流體傳送模塊，

所述流體承載模塊用于承載各種未使用流體和/或處理過所述半導體晶圓的已使用流體，

所述通風模塊被放置于所述半導體處理模塊、所述流體傳送模塊、所述流體承載模塊和所述控制模塊之間，用于對所述半導體處理模塊、所述流體傳送模塊、所述流體承載模塊和/或所述控制模塊進行通風換氣，

所述通風模塊包括第一側壁、與第一側壁間隔相對的第二側壁、與第一側壁和第二側壁的頂部鄰接的第一通風接口、與第一側壁和第二側壁的底部鄰接的第二通風接口，以及位于第一側壁、第二側壁、第一通風接口、第二通風接口之間的通風腔室，

所述半導體處理模塊、流體傳送模塊、流體承載模塊與所述通風模塊的第一側壁相鄰接，所述控制模塊與所述通風模塊的第二側壁相鄰接，

所述通風模塊還包括有貫穿所述通風模塊的第一側壁的多個通風端口，貫穿所述通風模塊的第一側壁的通風端口的一端與所述通風腔室連通，另一端分別與所述半導體處理模塊、流體傳送模塊、流體承載模塊連通，

所述通風模塊還包括有貫穿所述通風模塊的第二側壁的一個或多個通風端口，貫穿所述通風模塊的第二側壁的通風端口的一端與所述通風腔室連通，另一端與所述控制模塊連通。

2.根據權利要求1所述的模塊化半導體處理設備，其特征在于，所述通風模塊還包括有與第一通風接口和/或第二通風接口相連通的風機。

3.根據權利要求1所述的模塊化半導體處理設備，其特征在于，

所述流體傳送模塊通過電性線纜與所述控制模塊電性連接，所述半導體處理模塊通過電性線纜與所述控制模塊電性連接，所述流體傳送模塊通過管道與所述微腔室的入口和/或出口連通，和/或所述流體傳送模塊通過管道與所述流體承載模塊承載的流體連通，

被所述流體傳送模塊輸送至所述微腔室內的流體在所述微腔室內對其內的半導體晶圓進行處理，之后已使用過的流體經由所述微腔室的出口、管道以及所述流體傳送模塊流入所述流體承載模塊中的相應容器或流體排出管道內。

4.根據權利要求1所述的模塊化半導體處理設備，其特征在于，所述半導體處理模塊包括：第一腔室部和可相對于第一腔室部在打開位置和關閉位置之間移動的第二腔室部；

其中在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述關閉位置時，第一腔室部和第二腔室部之間形成有所述微腔室，半導體晶圓能夠容納于所述微腔室內，在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述打開位置時，所述半導體晶圓能夠被取出或放入；

第一腔室部具有自該第一腔室部面向所述微腔室的內壁表面凹陷形成的凹槽道、自外部穿過該第一腔室部以與所述凹槽道的第一位置連通的第一通孔和自外部穿過該第一腔室部以與所述凹槽道的第二位置連通的第二通孔，

在第二腔室部相對于第一腔室部位于所述關閉位置且所述半導體晶圓容納于所述微腔室內時，所述半導體晶圓的一個表面與形成所述凹槽道的內壁表面相抵靠，此時所述凹槽道借助所述半導體晶圓的所述表面的阻擋形成一條封閉通道，該條封閉通道通過第一通孔和第二通孔與外部相通，

流體能夠通過第一通孔或第二通孔進入所述封閉通道，進入所述封閉通道的流體能夠沿所述封閉通道的導引前行，此時所述流體能夠接觸到并處理所述半導體晶圓的所述表面的部分或全部區域，處理過所述半導體晶圓的所述表面的流體能夠通過第二通孔或第一通孔流出并被提取，此時第一通孔和第二通孔分別作為供流體進入所述微腔室的入口或出口。

5.根據權利要求4所述的模塊化半導體處理設備，其特征在于，

第一通孔包括與所述凹槽道直接相通且較所述凹槽道更深、更寬的第一緩沖口部和與該第一緩沖口部直接相通的第一通孔部，

第二通孔包括與所述凹槽道直接相通且較所述凹槽道更深、更寬的第二緩沖口部和與該第二緩沖口部直接相通的第二通孔部。