[發(fā)明專利]一種刻蝕熔絲氧化層的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610428631.2
• 申請日: 2016-06-16
• 公開（公告）號: CN107516632A
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許斌
• 申請（專利權(quán)）人: 許斌
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/67;H01L23/525
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 徐鵬飛

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種刻蝕熔絲氧化層的方法。

背景技術(shù)

隨著集成電路的飛速發(fā)展，集成電路制造工藝變得越來越復(fù)雜和精細，半導體元器件也變得更容易受各種缺陷所影響，而單個元器件如晶體管或者存儲單元的失效，往往會導致整個集成電路的功能缺陷。熔絲結(jié)構(gòu)用于連接集成電路中的冗余電路，在電路出現(xiàn)缺陷時，將熔絲熔斷，使冗余電路來修復(fù)或取代出現(xiàn)缺陷的電路。熔絲結(jié)構(gòu)經(jīng)常用于內(nèi)存中，在內(nèi)存芯片生產(chǎn)完成時，若其中有部分存儲單元出現(xiàn)功能問題，就可以通過熔絲結(jié)構(gòu)用冗余的存儲單元來取代，實現(xiàn)修復(fù)的目的。熔絲有時會出現(xiàn)熔斷失敗的現(xiàn)象，從而導致整個電路失效。傳統(tǒng)刻蝕熔絲結(jié)構(gòu)兩側(cè)的氧化層的方法不能精確控制刻蝕氧化層的量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于通過一種刻蝕熔絲氧化層的方法，來解決以上背景技術(shù)部分提到的問題。

為達此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種刻蝕熔絲氧化層的方法包括如下步驟：

S101、將與熔絲結(jié)構(gòu)配合的量測裝置放置在劃片槽中，通過所述量測裝置測量熔絲結(jié)構(gòu)兩側(cè)氧化層的原始厚度；所述熔絲結(jié)構(gòu)為多晶硅熔絲或金屬熔絲；

S102、根據(jù)鈍化層需要殘留的氧化層厚度和所述原始厚度，計算所需刻蝕的氧化層的量；根據(jù)刻蝕機的刻蝕速度，確定刻蝕時間；其中，所述鈍化層材料選自氮氧化硅；其中，所述刻蝕機采用干法刻蝕；

S103、根據(jù)所述刻蝕時間確定刻蝕制程，完成熔絲結(jié)構(gòu)兩側(cè)氧化層的刻蝕；

S104、進行晶圓測試。

特別地，所述干法刻蝕的刻蝕氣體為八氟環(huán)丁烷、氧氣、一氧化碳及二氧化碳的混合氣體。

本發(fā)明的技術(shù)方案能精確控制熔絲結(jié)構(gòu)兩側(cè)刻蝕的氧化層的量，避免熔絲熔斷失敗現(xiàn)象的發(fā)生，而且刻蝕效率高，耗時短，成本低。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的刻蝕熔絲氧化層的方法流程圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步說明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容，除非另有定義，本文所使用的所有技術(shù)和科學術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例，不是旨在于限制本發(fā)明。

請參照圖1所示，圖1為本發(fā)明實施例提供的刻蝕熔絲氧化層的方法流程圖。本實施例中刻蝕熔絲氧化層的方法包括如下步驟：

S101、將與熔絲結(jié)構(gòu)配合的量測裝置放置在劃片槽中，通過所述量測裝置測量熔絲結(jié)構(gòu)兩側(cè)氧化層的原始厚度；所述熔絲結(jié)構(gòu)為多晶硅熔絲或金屬熔絲。

S102、根據(jù)鈍化層需要殘留的氧化層厚度和所述原始厚度，計算所需刻蝕的氧化層的量；根據(jù)刻蝕機的刻蝕速度，確定刻蝕時間；其中，所述鈍化層材料選自氮氧化硅；其中，所述刻蝕機采用干法刻蝕；所述干法刻蝕的刻蝕氣體為八氟環(huán)丁烷、氧氣、一氧化碳及二氧化碳的混合氣體。

S103、根據(jù)所述刻蝕時間確定刻蝕制程，完成熔絲結(jié)構(gòu)兩側(cè)氧化層的刻蝕。

S104、進行晶圓測試。

本發(fā)明能精確控制熔絲結(jié)構(gòu)兩側(cè)刻蝕的氧化層的量，解決了現(xiàn)有技術(shù)不能對鈍化層需要殘留的氧化層厚度進行精確控制的問題，避免了熔絲熔斷失敗現(xiàn)象的發(fā)生，而且刻蝕效率高，刻蝕成本低。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。